一种多晶硅铸锭用坩埚制造技术

本实用新型专利技术提供了一种多晶硅铸锭用坩埚，该坩埚包括本体和形核源层，本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，底座和侧壁共同围成一收容空间，形核源层附着在本体底座朝向收容空间的一面，形核源层选自硅粉涂层、碳化硅粉涂层、石英粉涂层和碳粉涂层中的一种。本实用新型专利技术多晶硅铸锭用坩埚具有形核源层，其形核源有利于熔融状态的硅料迅速形核。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多晶硅铸锭领域，尤其涉及一种多晶硅铸锭用坩埚。
技术介绍
目前，多晶硅锭的制备方法主要为采用GTSolar所提供的定向凝固系统法(简称DSS)炉晶体生长技术，该方法通常包括加热、融化、凝固长晶、退火和冷却等步骤。在凝固长晶的过程中，伴随着坩埚底部的持续冷却，熔融状态的硅料自发形成随机形核并且随机形核逐渐生长。但由于初始形核没有得到控制，形核过程中容易产生位错，导致晶向无规律，晶界不规则，晶粒不均匀(从微米级到十几厘米都有)，因此通过该方法制备得到的多晶硅锭转换效率不高，质量较低。针对上述制备方法中容易产生位错的问题，日本学者FUJUWALA以及台湾学者南·崇文提出了以枝晶方式生长晶粒的方法。其方法为在初始形核时提高过冷度，使得硅料主要以枝晶方式生长，晶向控制为(110)以及(112)，所长成的晶粒较大，一般为数厘米，并以狭长型为主。尽管通过该方法制得的多晶硅锭初始位错少，增殖也慢，但存在以下缺点(O晶粒以枝晶方式横向生长的速度快，不同的枝晶容易相互挤压，产生应力和缺陷；(2)生长制得的晶粒较大，一旦大晶粒内部有位错，很容易在整个大晶粒内部扩展，并占据整个晶粒；(3)枝晶方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述坩埚包括本体和形核源层，所述本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，底座和侧壁共同围成一收容空间，所述形核源层附着在本体底座朝向收容空间的一面，所述形核源层选自硅粉涂层、碳化硅粉涂层、石英粉涂层和碳粉涂层中的一种。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡动力，何亮，雷琦，钟德京，张涛，万跃鹏，
申请(专利权)人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：