ZnS纳米材料阵列的简单制备方法技术

ZnS纳米材料阵列的简单制备方法，本发明专利技术涉及纳米材料的制备方法。本发明专利技术要解决现有制备ZnS纳米材料阵列的方法反应温度过高、工艺路线复杂以及设备昂贵的问题。方法：一、得到混合溶液；二、处理锌；三、反应。本发明专利技术降低了反应温度，反应温度降至140℃~150℃；本发明专利技术利用温和的液相方法，该方法工艺简单，操作安全方便，重复性好；本发明专利技术对设备要求低，降低了成本；本发明专利技术合成了大量ZnS纳米线束阵列和ZnS纳米棒阵列，合成纳米结构为六方纤锌矿结构，具有很好的光学性能和超疏水性能。本发明专利技术用于制备ZnS纳米线束阵列和ZnS纳米棒阵列。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
ZnS纳米材料阵列的简单制备方法，其特征在于该方法具体是按照以下步骤制备的：一、按(NH2)2CS物质的量和质量浓度为78%~82%N2H4·H2O溶液的体积比为5mmol：33mL~35mL，称取(NH2)2CS和N2H4·H2O溶液，将称取的(NH2)2CS溶解在N2H4·H2O溶液中，采用磁力搅拌器搅拌20min~50min,控制转速为200r/min~300r/min，得到混合溶液；二、处理锌，将锌放入浓度为0.6mol/L~1.0mo1/L稀盐酸中，在频率为60Hz~70Hz超声条件下放置5min~10min，再将锌取出放入无水乙醇中在90Hz~100Hz超声条件下放置15min~2...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：武祥，贾薇娜，
申请(专利权)人：哈尔滨师范大学，
类型：发明
国别省市：