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ZnS纳米材料阵列的简单制备方法，本发明涉及纳米材料的制备方法。本发明要解决现有制备ZnS纳米材料阵列的方法反应温度过高、工艺路线复杂以及设备昂贵的问题。方法：一、得到混合溶液；二、处理锌；三、反应。本发明降低了反应温度，反应温度降至140...
该专利属于哈尔滨师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨师范大学授权不得商用。

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