一种非晶硅平坦化方法技术

本发明专利技术涉及一种非晶硅平坦化方法，其包括：在具有台阶的衬底上淀积并完全覆盖一层非晶硅层；然后，在非晶硅层上旋涂一层有机材料层，以使有机材料层完全覆盖于非晶硅层上；采用相同的刻蚀速率刻蚀有机材料层和非晶硅层，以完全去除有机材料层，获得所需厚度且表面平坦的非晶硅层。因此，采用刻蚀工艺对非晶硅进行平坦化的方法，可以在无需额外添置非晶硅化学机械研磨设备的同时，避免因采用化学机械研磨工艺对非晶硅造成的损伤、剥落以及掺杂非晶硅研磨效率低下的问题，有效地降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述的方法具体包括如下步骤：步骤S1：在具有台阶（102）的衬底（101）上淀积并完全覆盖一层非晶硅层（103）；？步骤S2：在所述非晶硅层（103）上旋涂一层有机材料层（104），以使所述有机材料层（104）完全覆盖于所述非晶硅层（103）上；？步骤S3：通过刻蚀所述有机材料层（104）和非晶硅层（103），以完全去除所述有机材料层（104），获得所需厚度且表面平坦的所述非晶硅层（103）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：左青云，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：