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本发明涉及一种非晶硅平坦化方法，其包括：在具有台阶的衬底上淀积并完全覆盖一层非晶硅层；然后，在非晶硅层上旋涂一层有机材料层，以使有机材料层完全覆盖于非晶硅层上；采用相同的刻蚀速率刻蚀有机材料层和非晶硅层，以完全去除有机材料层，获得所需厚度且...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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