【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种使p型硅微通道与衬底分离的光电化学方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）预处理：在p型硅上生长二氧化硅掩膜层，将光刻胶涂于所述二氧化硅掩膜层上定义刻蚀点的位置与图形；再进行预腐蚀直至刻蚀点的位置呈现倒金字塔结构；（2）深刻蚀：调节光强激发硅片中载流子浓度，在腐蚀液中利用刻蚀电流对经步骤（1）预处理的所述p型硅进行纵向深刻蚀，形成微通道；（3）剥离：在氢氟酸性溶液中，调节蚀刻电压或蚀刻电流的大小使刻蚀电流在所述微通道的孔尖上方位置进行横向刻蚀，形成所述微通道与硅衬底的分离。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王连卫，彭波波，王斐，赖佳，顾林玲，王振，
申请(专利权)人：华东师范大学，上海欧普泰科技创业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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