【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种能提高多孔硅薄膜物理微结构及光学特性均匀性的方法，其特征是：本专利技术通过采用递减腐蚀电流密度的方法，减少纵向方向的多孔度或提高折射率，抵消在恒腐蚀电流条件下随腐蚀深度增加导致增加的多孔度或减少折射率，从而使两者达到动态平衡状态，来提高多孔硅薄膜的沿纵向方向上的物理微结构和光学特性的均匀性。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：龙永福，张晋平，雷立云，胡惟文，曹斌芳，张爱龙，王津，彭元杰，
申请(专利权)人：湖南文理学院，
类型：发明
国别省市：
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