栅极驱动电路制造技术

本发明专利技术提供即使是占空比为50%以上的脉冲信号也能够对开关元件的栅极进行驱动的价廉的栅极驱动电路。该栅极驱动电路具有：晶体管(Q2、Q3)，其分别与直流电源(Vcc1)的两端进行图腾式连接且在各基极输入有脉冲信号；晶体管(Q4、Q5)，其分别与直流电源(Vcc2)的两端进行图腾式连接且各发射极与开关元件(Q1)的栅极连接；以及变压器(T1)，其一次绕组(P1)通过电容器(C1)与晶体管(Q2、Q3)的各发射极和晶体管(Q2、Q3)中的一方的集电极连接，二次绕组(S1)与晶体管(Q4、Q5)的各基极和晶体管(Q4、Q5)的各发射极连接，脉冲信号(Vin)的最大占空比根据变压器(T1)的一次绕组电压(Vp)和晶体管(Q4、Q5)的基极-发射极间顺向电压来确定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对包含SiC和GaN的半导体开关元件的栅极进行驱动的栅极驱动电路。
技术介绍
图6示出以往的栅极驱动电路的一例。该栅极驱动电路对由FET构成的开关元件Ql的栅极进行驱动，使脉冲变压器(变压器)Tl的一次绕组Pl与二次绕组SI的匝数比成为 I :1。在直流电源Vccl的两端上连接有进行了图腾式连接的npn型的晶体管Q2和pnp型的晶体管Q3。在晶体管Q2、Q3的各基极上通过电阻Rl输入有脉冲信号Vin。晶体管Q2、Q3的各发射极通过电容器Cl与变压器Tl的一次绕组Pl的一端连接。一次绕组Pl的另一端与晶体管Q3的集电极和直流电源Vccl的负极连接。变压器Tl的二次绕组SI的一端通过电阻R2与开关元件Ql的栅极连接，变压器Tl的二次绕组SI的另一端与开关元件Ql的源极连接。根据如上所述结构的栅极驱动电路，如图7所示，在输入了占空比(On duty)为50%以下的脉冲信号Vin时，由于开关元件Ql的栅极电压的峰值成为开关元件Ql的栅极-源极间的阈值以上，因此能够驱动开关元件Q1。专利文献I日本特开2001-345194号公报但是，如图8所示，在输入了占空比超过50%的脉冲信本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栅极驱动电路，其对开关元件的栅极进行驱动，该栅极驱动电路的特征在于具有：第1晶体管及第2晶体管，其分别与第1直流电源的两端进行图腾式连接且在各控制端子上输入有脉冲信号；第3晶体管及第4晶体管，其分别与第2直流电源的两端进行图腾式连接且各第1主端子与所述开关元件的栅极连接；以及变压器，其一次绕组通过电容器与所述第1晶体管及第2晶体管的各第1主端子和所述第1晶体管及第2晶体管中的一方的第2主端子连接，二次绕组与所述第3晶体管及第4晶体管的各控制端子和所述第3晶体管及第4晶体管的各第1主端子连接，所述脉冲信号的最大占空比根据所述变压器的一次绕组电压和所述第3晶体管及第4晶体管的控制端子顺向电压来...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：千叶明辉，京野羊一，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：