一种蓝宝石图形衬底的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种蓝宝石图形衬底的制备方法，先制作光刻胶图形，进行氧气等离子体清洗后，再沉积薄膜，然后剥离得到掩膜图形，并通过湿法刻蚀得到蓝宝石图形衬底。本方法可以很好的控制图形的尺寸，保证掩膜图形的质量，有效提高GaN?LED的光提取效率，而且成本低，适用于批量化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种批量制造蓝宝石图形衬底的方法，属于光电子

技术介绍
GaN.InN,AlN等具有对称六方晶系结构的III-V族半导体材料，都是直接能隙，因此非常适合于作为发光器件的材料，其中根据成分的不同，可以得到禁带宽度从6. 5eV到O.7eV的三元或四元化合物半导体，所对应的发光波长涵盖深紫外光到远红外光的波段范围。由于GaN系列半导体的这个特点，使得GaN系列半导体材料广泛应用于LED与LD等光电器件上。早期由于GaN晶体与生长衬镀的晶格常数不匹配，使得GaN系列蓝绿光LED外延 生长品质与GaAs系列红黄光LED相比相差甚远，直到日本日亚公司成功的将GaN蓝绿光LED结构生长于(0001)蓝宝石衬底上，使得人类拥有全彩LED的梦想得以实现。相对于Si、SiC等其它衬底，蓝宝石衬底有稳定性高、技术成熟、机械强度高、性价比高等优点，因此使用蓝宝石衬底仍然是现在LED产业的主流。GaN基LED在应用于通用照明有着很好的发展前景，但是首先要解决问题的就是提高它的发光效率，这要求GaN基LED的内量子效率和提取效率都要提高。现在的外延技术已经改善提高了 GaN基LED的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝宝石图形衬底的制备方法，包括以下步骤：(1)利用常规的光刻工艺在蓝宝石衬底上制得光刻胶掩膜图形，进行氧气等离子体清洗；(2)在步骤(1)制得的有光刻胶掩膜图形的衬底上蒸镀或沉积一层薄膜层，薄膜层材料选自金属或介质膜；(3)将步骤(2)制得的有薄膜层的衬底放入剥离液中，剥离掉光刻胶上的薄膜层，保留图形上的薄膜层；(4)将步骤(3)制得的衬底采用湿法刻蚀，得到有薄膜层的蓝宝石图形衬底；(5)腐蚀去掉步骤(4)产品图形上的薄膜层，冲洗、甩干，得蓝宝石图形衬底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘岩，王德晓，邵慧慧，刘存志，徐现刚，
申请(专利权)人：山东华光光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：