低温共烧制备银电极的PZT基压电陶瓷厚膜材料的方法技术

本发明专利技术公开了一种低温共烧制备银电极的PZT基压电陶瓷厚膜材料的方法，压电浆料以PZT基体系配方为基础，按Pb（Zr0.52Ti0.48）O3、Pb0.99Sb0.01（Zr0.52Ti0.48）O3或者0.25Pb(Zn1/3Nb2/3)-0.75Pb0.95La0.05(Zr0.53Ti0.47)0.9875O3的化学计量比称取原料，以市售银浆为电极材料，采用丝网印刷技术进行电极和压电厚膜层的制备，采用825～850°C低温共烧技术进行烧结，通过合成工艺、排胶工艺和极化制度的调整和改进来制备在同等厚度下具有较高d33值和较低介电损耗的压电厚膜材料。本发明专利技术的成分及工艺步骤简单、易于操作、重复性好、成品率高。本发明专利技术主要应用于微型压电换能器和微位移器等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种以成分为特征的陶瓷组合物，特别涉及一种低温共烧锆钛酸铅(PZT)基压电陶瓷厚膜材料的制备方法
技术介绍
随着电子器械向着小型化和微型化的方向发展，尺寸大、重量沉、需要较高工作电压的块体压电材料已经不能满足人们制作小型化、集成型的电子器件的需要，兼具有压电陶瓷与压电薄膜优点的压电陶瓷厚膜材料及器件已渐渐成为科学研究的热点和未来块体压电器件的替代品。作为各种微型传感器和执行器的核心部分，压电陶瓷厚膜材料也随之成为压电陶瓷材料的发展方向。与块体材料相比，压电厚膜工作电压低、使用频率范围宽、能够与半导体集成电路兼容，可制造各种微型机械泵、厚膜微致动器、压力传感器、压电加速度转换器、压电微型驱动器与执行器、热释电红外探测器及微电子机械系统器件等；与薄 膜材料比，压电厚膜的压电、铁电性能较少受界面、表面等的影响，较大的厚度也能产生更大的驱动力，且具有更宽的工作频率和更为优越的压电性能，在压电器件方面有很重要的应用，可制备出电性能优异的多种集成和分离的压电、热释电和铁电厚膜器件，还可直接用于厚膜混合集成电路，将有力地推动集成铁电学和电子产业的发展。压电陶瓷厚膜的常用制备技术之一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温共烧制备银电极的PZT基压电陶瓷厚膜材料的方法，具有如下步骤：(1)配料按Pb（Zr0.52Ti0.48）O3、Pb0.99Sb0.01（Zr0.52Ti0.48）O3或0.25Pb(Zn1/3Nb2/3)？0.75Pb0.95La0.05(Zr0.53Ti0.47)0.9875O3的化学计量比称取原料Pb3O4、ZrO2、TiO2、ZnO、Nb2O5、Sb2O3和La2O3，进行混合，装入尼龙罐中，球磨介质为水和玛瑙球，球∶料∶水的重量比为2∶1∶0.6，球磨3h，球磨转速为750r/min，然后将混合料放入烘箱于110℃烘干，再放入研钵内研磨，过60目筛；(2)预烧将步骤(1)研磨...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马卫兵，白洋，孙清池，葛琴雯，刘志华，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：