开有双孔的晶体生长保温罩制造技术

技术编号:8175192 阅读:204 留言:0更新日期:2013-01-08 20:42
本实用新型专利技术公开了一种开有双孔的晶体生长保温罩,包括一支撑坩埚的保温底座、围绕在坩埚外侧周围的保温层和一置于所述坩埚和保温层上方的具有内腔的保温罩,所述的保温罩的顶部中间位置开有通孔,在所述的保温罩的一侧开有一与内腔相通且与保温罩的中垂线成一定夹角的倾斜通孔一,其特征在于:在所述的保温罩的另一侧对称的开有一与倾斜通孔一相同大小、相同倾斜角的倾斜通孔二。本实用新型专利技术是在保温罩上对称的两侧分别开有倾斜的通孔,能平衡晶体两侧温场,不仅能减少因晶体两侧温度不均而产生的应力,提高晶体质量,而且便于更全面的观察炉内情况。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及开有双孔的晶体生长保温罩
技术介绍
追求高纯净,晶体完整性好,低成本的晶体一直是科研人员的主要研究方向。由于导模法具有晶体生长速度快,尺寸可以精确控制,简化了晶体的加工程序,大大降低了晶体加工难度,节省了材料、时间和能源,降低生产成本,提高经济效益,是人工晶体当前最主要的生长方法之一。但在传统的生长方法是利用人工观察调整功率进行控制生长,对人员技术水平要求较高,温度控制精度差影响结晶界面的稳定影响晶体的完整性,产品质量一致性差从而限制了工业化、标准化、规模化生产
技术实现思路
本技术目的就是为了弥补已有技术的缺陷,提供一种在原有的保温罩的基础上作进一步改进的、能提高晶体质量的开有双孔的晶体生长保温罩。本技术是通过以下技术方案实现的一种开有双孔的晶体生长保温罩,包括一支撑坩埚的保温底座、围绕在坩埚外侧周围的保温层和一置于所述坩埚和保温层上方的具有内腔的保温罩,所述的保温罩的顶部中间位置开有通孔,在所述的保温罩的一侧开有一与内腔相通且与保温罩的中垂线成一定夹角的倾斜通孔一,其特征在于在所述的保温罩的另一侧对称的开有一与倾斜通孔一相同大小、相同倾斜角的倾斜通孔二。本技术是在原来保温本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开有双孔的晶体生长保温罩,包括一支撑坩埚的保温底座、围绕在坩埚外侧周围的保温层和一置于所述坩埚和保温层上方的具有内腔的保温罩,所述的保温罩的顶部中间位置开有通孔,在所述的保温罩的一侧开有一与内腔相通且与保温罩的中垂线成一定夹角的倾斜通孔一,其特征在于:在所述的保温罩的另一侧对称的开有一与倾斜通孔一相同大小、相同倾斜角的倾斜通孔二。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王楠赵青贾建国
申请(专利权)人:鸿福晶体科技安徽有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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