单晶炉石墨坩埚提升装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术单晶炉石墨坩埚提升装置，包括：坩埚轴，所述坩埚轴设置在坩埚底部的中心位置；石墨坩埚托盘，所述石墨坩埚托盘设置在所述坩埚轴的顶端；石墨坩埚，所述石墨坩埚为分体式石墨坩埚，所述石墨坩埚设置在所述石墨坩埚托盘上；石墨坩埚，所述石墨坩埚套设在所述石墨坩埚托盘内。本实用新型专利技术单晶炉石墨坩埚提升装置确保了石墨坩埚周围充裕的空间，使分体式石墨坩埚取出工装的设计变得更为容易，工装的构造也将变得更加简单。另外，不是依靠工装，而是依靠下方设置的石墨坩埚托盘来保持分体式石墨坩埚形状。这样能够大幅降低石墨坩埚掉落的危险。也能对应大型化的热场，提高工作效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及CZ法拉单晶炉石墨坩埚提升装置。
技术介绍
单晶硅一般采用CZ法生产。CZ法是依靠加热器将石墨坩埚内的原料硅溶解，再将安装在籽晶夹头上的籽晶浸入溶液中。然后，使籽晶夹头和石墨坩埚相对逆向旋转，同时提拉籽晶夹头，使晶锭(单晶硅)按照所设定的直径及长度生长的方法。使用时一般采用的是盛装熔液的石墨坩埚和盛放并支撑石墨坩埚的双重构造。为防止石墨坩埚与其中盛放的石墨坩埚因热膨胀系数不同而发生破裂，石墨坩埚被纵向分成了几部分，其形状并不固定。在拉晶结束清扫热场时，取出已使用过的石墨坩埚后，多采用人力将分体式石墨坩埚取出。 拉晶结束后取出石墨坩埚时，如果是小型的热场，即使采用人力也不算费力，但是近年热场正在越来越大型化，用人力来对应就变得越来越难了。另外，为了能够让包围在石墨樹祸外周的加热器闻效加热溶解石墨樹祸内盛放的原料娃，在加热时尽量将石墨樹祸放置在加热器内部。石墨坩埚外表面和加热器的内表面之间的间隙很小。比如通常设定为只有12毫米左右。此外，通常坩埚轴的行程范围只能满足拉晶的最低需要，即确保到达拉晶用的装料位置和化料位置等。即使在如此有限的空间里，也能够用工装也可将分体式石墨坩埚本文档来自技高网...

【技术保护点】
单晶炉石墨坩埚提升装置，其特征在于，包括：坩埚轴，所述坩埚轴设置在单晶炉底部；石墨坩埚托盘，所述石墨坩埚托盘设置在所述坩埚轴的顶端；石墨坩埚，所述石墨坩埚为分体式石墨坩埚，所述石墨坩埚设置在所述石墨坩埚托盘上；石墨坩埚，所述石墨坩埚套设在所述石墨坩埚托盘内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：舟桥启，
申请(专利权)人：上海汉虹精密机械有限公司，
类型：实用新型
国别省市：