带隙参考电路和方法技术

一种用于产生带隙参考电压(VREF)的电路包含用于将第一电流供应到第一导体(NODE1)并将第二电流供应到第二导体(NODE2)的电路(I3×7)。所述第一导体响应于数字信号(CTL-VBE)而分别连续地耦合到多个二极管(Q0×16)，以致使所述第一电流连续地流入选定二极管中。所述第二导体耦合到当前未耦合到所述第一导体的所述二极管的集电极。所述二极管连续地耦合到所述第一导体，以使得所述第一电流分别致使所述二极管在所述第一导体上产生相对大的VBE电压，且所述第二电流致使未耦合到所述第一导体的若干组所述二极管在所述第二导体上产生相对小的VBE电压。所述相对大和相对小的VBE电压提供差分带隙电荷(QCA-QCB)，所述差分带隙电荷经平均以提供稳定的带隙参考电压(VREF)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及带隙参考电压电路。
技术介绍
图IA展示常规的带隙电压参考电路I，带隙电压参考电路I包含放大器4，放大器4的(+)输入连接到电阻器Rl的一个端子与二极管连接的NPN晶体管Q5的基极和集电极之间的结2。类似地，放大器4的(-)输入连接到电阻器R2的一个端子与电阻器R3的一个端子之间的结3。电阻器R3的另一端子连接到二极管连接的NPN晶体管Q4的基极和集电极。电阻器Rl和R2的上部端子通过导体5连接到放大器4的输出，在所述输出上产生参考电压VKEF。晶体管Q4和Q5的发射极连接到供应电压Vss。例如图IA中所示的常规的带隙参考电路一般具有以下严重问题所产生的参考电压Vkef的热漂移的较差的长期稳定性和较宽的芯片间变化。常规的带隙参考电路通常提供用以调整“磁值”的微调能力，所述“磁值”是硅的实际带隙电压Vm，且通常为I. 2伏。所产生的参考电压Vkef是Vbe电压(基极-发射极电压)与AVbe电压的总和，所述Vbe电压是与绝对温度成反比的CTAT电压，且所述AVbe电压是与绝对温度成正比的PTAT电压(与绝对温度成比例)电压。所述AVbe电压是由于以下操作而产生(I)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：迪米塔尔·T·特里福诺夫，杰丽·L·多尔雷恩博斯，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：
国别省市：