金属氧化物纳米纤维制造装置以及金属氧化物纳米纤维的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种金属氧化物纳米纤维制造装置，其具有喷出部、混合部、加热部、以及冷却部。喷出部喷出金属的粒子。混合部将包含在分子内含有氧的氧化性成分的气体与金属的粒子混合，并调制混合物。加热部加热该混合物，并将混合物的温度提高至金属蒸发的温度。冷却部冷却由加热部生成的生成物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在需要隔热材料、耐热材料、耐电压材料等各种电子元件等中使用的、由二氧化硅等金属氧化物形成的纳米纤维的制造方法以及制造装置。
技术介绍
为了将氧化物材料、例如二氧化硅(SiO2)加工成纳米纤维形状，能够应用化学气相沉淀法(CVD法)、以及蒸发基底沉积法(Vaporizedsubstrate deposition)法(VSD法)。CVD法将含有硅(Si)的气体作为原料，在低压下的气相中生成纤维状的Si02。例如使用甲硅烷( ^ 9 > ) (SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、以及四乙氧基硅烷(TEOS)等作为原料气体。在CVD法中，金属氧化物纳米纤维结晶化(单结晶或多晶)，形成针状的金属氧化物。另一 方面，VSD法烧制形成催化剂的Si基板，将从Si基板蒸发的Si作为原料而生成纤维状的Si02。在VSD法中，金属氧化物纳米纤维形成为非晶体，形成具有高柔软性的金属氧化物纳米纤维形状。此外，作为与该申请的专利技术相关的现有技术文献，举出例如专利文献1、2。VSD法是不需要昂贵的装置而能够仅在金属基板上的所希望的位置形成金属氧化物纳米纤维的优良的方法。然而，VSD法从基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中谷将也，高桥诚，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：