【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜太阳能电池
，尤其涉及一种以金属基板为膜层沉积衬底或者封装材料的薄膜太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池技术，即光伏技术，以其发电过程环保及资源无穷尽的优势，目前正以30%的年增长率在迅猛发展，光伏技术是可再生能源的重要组成部分，可再生能源发电的1/3将由光伏技术来实现，目前太阳能电池技术已经实现了大面积的产业化的进程，未来的发展更是空间无限。太阳能电池技术，从根本上说是一种半导体技术，和所有的半导体器件一样，太阳能电池具有高温性能衰退的特性，目前晶体硅电池的温度衰减系数为-O. 5% /°C，薄膜硅电池的温度衰减系数为-O. 28%/°C，铜铟镓锡(CIGS)电池温度衰减系数为-O. 3%左右，碲化镉(CdTe)电池的温度衰减系数为_0.4%，对于薄膜硅电池来说，其电池组件表面的温度 会高出环境温度30°C，额定输出功率为100W的组件会因温度升高30°C而损失8W的功率输出，因此降低组件的温度是至关重要的，其中降低组件温度的有效方式是提高电池组件衬底材料或者封装材料的导热能力。本专利技术中所提出的新型电池结构中作为膜层沉积衬底的金属基板...
【技术保护点】
一种以金属基板为电池膜层衬底或者封装材料的薄膜太阳能电池，其特征如下：(1)以金属基板为电池膜层衬底时，是在满足薄膜电池指标要求的金属基板上沉积电池薄膜，金属基板上的导电金属层作为薄膜电池的一侧电极。(2)以金属基板为封装材料时，是以金属基板作为薄膜电池的密封和粘结的材料。
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。