一种TO系列的功率二极管引线框架结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种TO系列的功率二极管引线框架结构，包括框架本体以及与框架本体相连的引线管脚，所述框架本体上设置有载片区，所述载片区外部设置有隔离槽，隔离槽设置在框架本体上，且隔离槽沿着载片区的外廓环绕后首尾两端相互连接。该框架结构通过对载片区设置一个矩形隔离槽，有效防止焊料的溢出和防渗透作用；引线管脚设计为一个焊接管脚，减少键合工序对另一个引线管脚的焊接作业，中间极连接直接转为连接管脚连接；此类引线框架起到防渗透作用，增加树脂与载片的结合强度，同时节约键合工序工时和键合成本，确保TO系列二极管产品质量和器件可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种TO系列的功率二极管引线框架结构，属于半导体封装
，用于确保TO系列二极管产品质量和器件可靠性。
技术介绍
半导体封装行业是一个大规模的电子行业，半导体器件在我们的实际生活中应用极为广泛。随着功率半导体器件使用的日益增多，很多的企业都在考 虑成本控制和产品可靠性提升。新时期企业的竞争力的高低就在于产业化创新，产品设计的优化改良，成本的节省，产品的可靠性能等。目前TO系列的功率二极管所使用的引线框架是普通的三极管框架，为满足器件成型后的管脚位置，其在键合时要在引线框架的连接管脚键合处焊接管脚一样数量和线径的内引线来起导通作用，中心管脚的连接C极就多余，这样既浪费了框架的原材料，浪费了键合工时，同时多一次键合对产品质量也存在潜在隐患。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足，提供一种TO系列的功率二极管引线框架结构，该框架结构通过对载片区设置一个矩形隔离槽，有效防止焊料的溢出和防渗透作用；引线管脚设计为一个焊接管脚，减少键合工序对另一个引线管脚的焊接作业，中间极连接直接转为连接管脚连接；此类引线框架起到防渗透作用，增加树脂与载片的结合强度，同时节约键合工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TO系列的功率二极管引线框架结构，包括框架本体（2）以及与框架本体（2）相连的引线管脚，所述框架本体（2）上设置有载片区（1），其特征在于：所述载片区（1）外部设置有隔离槽（3），隔离槽（3）设置在框架本体（2）上，且隔离槽（3）沿着载片区（1）的外廓环绕后首尾两端相互连接。

【技术特征摘要】
1.一种TO系列的功率二极管引线框架结构，包括框架本体(2)以及与框架本体(2)相连的引线管脚，所述框架本体(2)上设置有载片区(1)，其特征在于所述载片区(I)外部设置有隔离槽(3)，隔离槽(3)设置在框架本体(2)上，且隔离槽(3)沿着载片区(I)的外廓环绕后首尾两端相互连接。2.根据权利要求I所述的一种TO系列的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李科，蔡少峰，
申请(专利权)人：四川立泰电子有限公司，
类型：实用新型
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