【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种采用平面结构的EBG抑制传播的技术,尤其涉及在难以确保充裕的空间的情况下,在较小空间内能够得到高效的抑制电波传播效果的平面结构EBG。
技术介绍
最近,正在进行利用EBG (Electromagnetic Band Gap :电磁带隙)结构抑制对象电波传播的研究开发,其中该EBG结构中,周期性配置了小于对象波长的指定结构。例如,可以利用EBG结构抑制天线中的无用放射,或抑制电波的传播(参照专利文献I)。 EBG是将半导体工学的能带理论适用于微波或毫米波等电磁波领域的,例如以金属材料形成小于作为对象的电磁波波长的周期结构。由于以金属材料形成小于作为对象的电磁波波长的周期结构的EBG结构,微波或毫米波根据其频率有时无法存在于该结构中,有时存在于该结构中。因此,可以利用EBG结构可以抑制电波传播,或者使电波通过,从而将EBG结构用于天线等中抑制无用反射或抑制传播。作为导体图案配置在基板上的EBG有专利文献I中公开的采用通孔的结构(下面称为3D结构)和平面结构等两种,本申请涉及平面结构的EBG。先行技术文献专利文献专利文献I :日本特开2008-283 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.28 JP 2010-1045001.一种排列多个平面EBG元件的平面EBG结构,其特征在于 至少任意一个端部列的平面EBG元件列在指定位置被切断。2.根据权利要求I所述的平面EBG结构,其特征在于, 所述平面EBG结构将所述切断的形状的平面EBG元件列的EBG导体连接于地面。3.根据权利要求I所述的平面EBG结构,其特征在于, 在至少任意一个端部列,所述平面EBG元件具有留下该平面EBG元件的宽度的3/4倍以上而被切断的形...
【专利技术属性】
技术研发人员:井上大辅,
申请(专利权)人:古河电气工业株式会社,古河AS株式会社,
类型:
国别省市:
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