单结光伏电池制造技术

一种用于形成单结光伏电池的方法，其包括形成掺杂物层于半导体基板的表面上；扩散掺杂物层进入半导体基板以形成半导体基板的掺杂层；形成金属层于掺杂层上方，其中在金属层中的拉伸应力配置成在半导体基板中造成开裂；从半导体基板开裂处去除半导体层；以及使用半导体层形成单结光伏电池。一种单结光伏电池包括掺杂层，其包含扩散进入半导体基板的掺杂物；图案化导电层，其形成于掺杂层上；半导体层，其包含位于在相对于图案化导电层的掺杂层的表面上的掺杂层上的半导体基板；以及欧姆接触层，其形成于半导体层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用应力诱发基板剥落的半导体基板制造。
技术介绍
成本限制倾向于排除用于所有但是又最需要的光伏(Photovoltaic，PV)应用的化合物半导体基板的使用(诸如卫星与基于空间的PV系统)，这是由于化合物半导体基板通常相对昂贵。因此期望减少在工艺期间的化合物基板的浪费。示例性化合物半导体基板 是砷化镓(GaAs)，其在高效率多结电池中可用作基础基板。GaAs的高光学吸收确保了少于大约10微米厚度的GaAs即足以从太阳光谱获取光子；剩余的基板材料用作载体，且对于PV电池的作用而言不是必要的。
技术实现思路
在一个方面中，用于形成单结光伏电池的方法包括形成掺杂物层于半导体基板的表面上；扩散掺杂物层进入半导体基板以形成半导体基板的掺杂层；形成金属层于掺杂层上方，其中在金属层中的拉伸应力配置成在半导体基板中造成开裂(fracture);从半导体基板开裂处去除半导体层；以及使用半导体层形成单结光伏电池。在一个方面中，单结光伏电池包括掺杂层，其包含扩散进入半导体基板的掺杂物；图案化导电层，其形成于掺杂层上；半导体层，其包含位于在相对于图案化导电层的掺杂层的表面上的掺杂层上的半导体基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.26 US 12/713,5721.一种用于形成单结光伏电池(600)的方法，所述方法包含 形成掺杂物层(202)于半导体基板(201)的表面上； 扩散掺杂物层(202)进入半导体基板的锭，以形成半导体基板的掺杂层(301)； 形成金属层(401)于所述掺杂层(301)上方，其中所述金属层中的拉伸应力被配置成在所述半导体基板(201)中导致开裂(503)； 从半导体基板(201)在开裂(503 )处去除半导体层(501);以及 使用半导体层(501)形成单结光伏电池(600 )。2.如权利要求I的方法，其中所述掺杂物层(202)包含锌。3.如权利要求I的方法，其中所述金属层(401)包含镍。4.如权利要求3的方法，其中金属层(401)的厚度大于大约2微米。5.如权利要求I的方法，其中形成所述金属层(401)包含电镀。6.如权利要求I的方法，其中所述半导体基板(201)包含具有〈110〉表面晶向的砷化镓。7.如权利要求I的方法，其中所述半导体基板(501)处于压缩应变下，该压缩应变由所述金属层(401)中的拉伸应力所诱发。8.如权利要求I的方法，还包括在形成所述金属层(401)之前形成籽晶层(302)于掺杂层(301)上。9.如权利要求8的方法，其中所述籽晶层(302)包含钛，且籽晶层被配置成在使用所述半导体层(501)形成单结光伏电池(600)期间充当蚀刻停止层。10.如权利要求I的方法，还包括在扩散掺杂物层之前形成籽晶层(302)于掺杂层(301)上。11.如权利要求I的方法，其中从半导体基板(201)在开裂(503)处去除所述半导体层(501)包含粘着处理层(502)于所述金属层(401)，所述处...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·W·比德尔，K·E·福格尔，N·E·索萨·柯蒂斯，D·萨达纳，D·沙赫尔耶迪，B·A·瓦卡塞尔，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：