本发明专利技术涉及一种三子结化合物光伏电池，具体为InAlAsP/InGaAs/Ge三子结化合物光伏电池，具有优化的1.90ev/1.40ev/0.66ev能带结构；本三子结化合物光伏电池具有二阶凸起结构，以及为配置上述光伏电池结构而设计的n++InGaP/p++InGaAsP异质结隧穿二极管和基区厚度关系，本三子结Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏电池具有高光电转换效率和收集效率，特别的对自然光线具有有效的限域作用。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种三子结化合物光伏电池，具体为InAlAsP/InGaAs/Ge三子结化合物光伏电池，具有优化的1.90ev/1.40ev/0.66ev能带结构；本三子结化合物光伏电池具有二阶凸起结构，以及为配置上述光伏电池结构而设计的n++InGaP/p++InGaAsP异质结隧穿二极管和基区厚度关系，本三子结Ⅲ-Ⅴ族化合物光伏电池具有高光电转换效率和收集效率，特别的对自然光线具有有效的限域作用。【专利说明】一种三子结化合物光伏电池
本专利技术涉及一种化合物光伏电池，优其涉及一种多子结化合物光伏电池。
技术介绍
II1- V族化合物光伏电池最先使用于太空领域，但随着技朮的进步，II1- V族化合物光伏电池也越来越多的运用到非太空领域。与硅光伏电池相比，II1-V族化合物光伏电池具有更大的能量转换效率，通过先进工艺制造出的II1- V族化合物光伏电池其光电转换成效率可超过25%，而硅光伏电池不会超过20%。相比于硅光伏电池，II1- V族化合物光伏电池可通过使用多个具有不同带隙能的子电池来实现多太阳辐射的最大化转换；对于II1- V族化合物光伏电池而言，GalnP/GaAs/Ge是一种最典型最成熟的II1- V族化合物光伏电池，其光电流密度已经能够达到25mA/cm2，然而现有的II1- V族化合物光伏电池对自然太阳光的光谱吸收还不充分，并且多是以垂直、多结的形成逐层外延到半导体衬底上的，往往不能像硅光伏电池那样形成对光线具有限域作用的植绒表面，现有的II1-V族化合物光伏电池有待得到进一步的提升。
技术实现思路
为了弥补现有II1- V族化合物光伏电池的不足，进一步提高对光线的利用率，本专利技术提供一种InAlAsP/IGaAs/Ge三结化合物光伏电池，该InAlAsP/InGaAs/Ge三结结构能够有效地提高光伏电池的转换效率，同时该InAlAsP/IGaAs/Ge三子结化合物光伏电池还具有对光线具有限域作用的二阶凸起结构，该二阶的凸起结构能够有效地提高光接触面积，并且能够对光线产生高效地限域作用；本专利技术提供的三子结II1- V族化合物光伏电池，包括Ge衬底；Ge子电池，位于Ge衬底上；InGaAs子电池,位于Ge子电池上；InAlAsP子电池,位于InGaAs子电池上；在所述Ge衬底与Ge子电池之间包括η++ Ge接触层以及η++ Ge接触层之上的背场层；在InAlAsP子电池上为窗口层，窗口层上为ρ++接触层；Ge子电池与InGaAs子电池，InGaAs子电池与InAlAsP子电池之前具有晶格匹配的n++/p++遂穿二极管；进一步地，Ge子电池在远离衬底的方向上依次包括η Ge基区，ρ+ Ge发射区，并具有 0.66ev左右的带隙；所述InGaAs子电池在远离衬底方向上依次包括n InGaAs基区，ρ+InGaAs发射区，并具有1.40ev左右的带隙；所诉InAlAsP子电池在远离衬底方向上依次包括n InAlAsP基区，p+ InAlAsP发射区，并具有1.90ev左右的带隙；进一步地，在该光伏电池上部光照面形状为连续的二阶凸起结构，每一个二阶凸起结构具有第一阶凸起和第二阶凸起，其中第二阶凸起从第一阶凸起的上表面向上凸起；进一步地,从第二阶凸起的顶面到Ge衬底的底面厚度为300?400um,第一阶凸起的顶部到第一阶凸起底面的厚度为5(T80um ;并且第二阶凸起的顶部到第一阶凸起的顶部的厚度至少大于第一阶凸起的顶部到第一阶凸起底面的厚度的两倍；每两个二阶凸起结构之间的间隔小于第一阶凸起的顶部到第一阶凸起底面的厚度； 进一步地，所述η Ge基区的厚度大于n InGaAs基区的厚度，n InGaAs基区的厚度大于n InAlAsP基区的厚度，η Ge基区的厚度为约2.5微米、n InGaAs基区的厚度为约2.2微米、n InAlAsP基区的厚度为约1.8-2.0微米；ρ+ Ge发射区、p+ InGaAs发射区、p+ InAlAsP发射区的厚度均为80-100纳米；进一步地，所述晶格匹配的η++/ρ++隧穿二极管为异质结隧穿二极管；进一步地,所述晶格匹配的η++/ρ++隧穿二极管为n++ InGaP/p++ InGaAsP异质结隧穿二极管；其总厚度为30-45纳米； 【专利附图】【附图说明】 图1为根据本专利技术的三子结化合物光伏电池的结构示意图；图2为图1中A区域的放大图，即本专利技术光伏电池各子结材料层示意图。 【具体实施方式】 以下将结合最佳实施方式对本专利技术做进一步的说明，本专利技术的有益效果将在详细地描述中变得清晰；参见图1-2，图1为本专利技术三子结光伏电池的结构示意图，图2为图1中A区域的放大图，其显示了本专利技术光伏电池的细节；本专利技术的一个方面，参见图2本专利技术的化合物光伏电池具有多子结的InAlAsP/InGaAs/Ge结构，其中InAlAsP子电池(300)的带隙在1.9ev左右，InGaAs子电池(200)的带隙在1.40ev左右，Ge子电池(100)的带隙为0.66ev左右，本专利技术的三结光伏电池具有的带隙的优化结构能够匹配自然太阳光谱的波长结构，充分利用光伏的各波长段的光子能量，从整体上优化对太阳光谱的吸收，提高电池效率。并且，参见图1，本专利技术的化合物光伏电池上部光照面形状为连续的二阶凸起结构(a，b)，每一个二阶凸起结构(a,b)具有第一阶凸起(b)和第二阶凸起(a),其中第二阶凸起(a)从第一阶凸起(b)的上表面向上凸起；具体来说，本专利技术的化合物光伏电池包括具有连续的二阶凸起结构(a，b)的Ge衬底 (001)，其中每一个二阶凸起结构(a，b)包括第一阶凸起(b)和第二阶凸起(a)，其中第二阶凸起(a)从第一阶凸起(b)的上表面向上凸起。位于Ge衬底(001)上依次为Ge子电池(100)、InGaAs 子电池(200)、InAlAsP 子电池(300)以形成 1.90ev/l.40ev/0.66ev 能带结构的三结电池。其中各子电池的带隙在远离衬底的方向上逐步增大，这十分有利于光电流密度的提高，其中Ge子电池(100)具有0.66ev左右的带隙并在远离衬底的方向上依次为η Ge基区(101)、ρ+ Ge发射区(102)，η Ge基区(101)厚度优选为2.5微米，ρ+ Ge发射区(102)厚度优选为80-100纳米；InGaAs子电池(200)具有1.40ev左右的带隙，并在远离衬底的方向上依次为n InGaAs基区(201)、ρ+ InGaAs发射区(202)，n InGaAs基区(201)的厚度优选为2.2微米，ρ+ InGaAs发射区(202)的厚度优选为80-100纳米；InAlAsP子电池(300)具有1.90ev左右的带隙，并在远离衬底的方向上依次为n InAlAsP基区(301)、ρ+InAlAsp 发射区(302)，n InAlAsP 基区(301)的厚度优选为 1.8-2.0 微米，p+ InAlAsp 发射区(302)的厚度优选为80-100纳米。在Ge衬底(001)与η Ge基区(101)之间还包括η++ Ge接触层(002)和背场层(003);在InAlAsP子电池(300)上为窗口层(006)，窗口层 上为本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种三子结化合物光伏电池，包括Ge衬底；Ge子电池，位于Ge衬底上；InGaAs子电池，位于Ge子电池上；InAlAsP子电池，位于InGaAs子电池上；在所述Ge衬底与Ge子电池之间包括n++ Ge接触层以及n++ Ge接触层之上的背场层；在InAlAsP子电池上为窗口层，窗口层上为p++接触层；Ge子电池与InGaAs子电池，InGaAs子电池与InAlAsP子电池之前具有晶格匹配的n++/p++遂穿二极管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：司红康，马梅，谢发忠，
申请(专利权)人：六安市大宇高分子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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