具有最小杂散场的磁性隧道结器件制造技术

第二BEOL层，包括围绕过孔的过孔电介质层，以及在过孔上方对准的磁性隧道结(MTJ)堆叠，过孔包括由衬垫分隔开的上金属柱和下金属柱。第一后段(BEOL)层，包括围绕BEOL金属层的BEOL电介质层；第二BEOL层，包括围绕过孔的过孔电介质层，过孔包括由衬垫分隔开的上金属柱和下金属柱；在过孔上方对准的磁性隧道结(MTJ)堆叠。形成作为第二后段(BEOL)层的过孔电介质层、开口、开口中的下金属柱、下金属柱上和开口的暴露侧表面上的衬垫、所述开口的剩余部分中的上金属柱，以及形成在上方对准的磁性隧道结(MTJ)堆叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

1、本专利技术总体上涉及半导体制造领域，并且更具体地涉及制造具有来自下划线铁磁结构的最小杂散场(stray field)的磁性隧道结器件。

2、磁阻随机存取存储器(“mram”)器件被用作非易失性计算机存储器。mram数据由磁性存储元件存储。这些元件由两个铁磁层形成，每个铁磁层可保持磁场，这两个铁磁层被自旋导体层分隔开。两个层中的一个是设置为特定极性的参考磁体或者参考层，而其余层的场可改变为匹配外部场的场以存储存储器，并且被称为“自由磁体”或者“自由层”。该配置被称为磁性隧道结(mtj)，并且是存储器的mram位的最简单的结构。

3、由于在后段(beol)制造中与铜(cu)相比不需要额外的衬垫用于金属填充，并且中段(mol)制造中远低于钨(w)的电阻率，钴(co)是先进互连技术中新兴的金属选择。钴是铁磁性的，其对具有强杂散电磁场的磁化具有高敏感性。

技术实现思路

1、根据实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第二beol层，其包括围绕过孔的过孔电介质层，该过孔包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

7.一种半导体器件，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中

11.根据权利要求4所述的半导体器件，其中

<p>12.一种方法，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

7.一种半导体器件，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中

【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，D·侯萨梅丁，黄淮，周天骥，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：

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