【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及由镁(所谓的纯镁)或镁合金与诸如SiC的无机非金属材料的复合材料制成的复合构件、由这种复合构件形成的散热构件和包含这种散热构件的半导体装置。特别地，本专利技术涉及能够保持牢固固定到固定目标上的状态的复合构件。
技术介绍
作为连接到半导体元件上的散热构件(散热器)的构成材料，不仅利用仅由诸如铜的金属材料构成的构成材料，还利用由金属和无机非金属材料(代表性的是陶瓷)制成的复合材料如Al-SiC。近年来，以减轻散热构件的重量为主要目的，已经对包含重量比铝(Al)更轻的镁(Mg)或其合金作为基础材料的镁基复合材料进行了研究(参见日本特开2006-299304号公报(专利文献I)和日本特许第4594433号公报(专利文献2))。引用列表 专利文献专利文献I :日本特开2006-299304号公报专利文献2 日本特许第4594433号公报
技术实现思路
技术问题以作为冷却器固定到这种固定目标上的方式使用连接到半导体元件上的散热构件。为了固定这种散热构件，代表性地，使用诸如螺栓的紧固构件。在此情况中，散热构件应具有通孔，通过所述通孔插入紧固构件。期望包含这种通孔并由...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.02 JP 2010-085639;2010.04.02 JP 2010-085641.一种镁基复合构件(1A 1C)，其具有通孔(20A)，通过所述通孔(20A)插入用于连接的紧固构件(100)，所述镁基复合构件包含 基板(10)，其具有基板孔(21)，并由SiC和基体金属的复合材料构成，其中通过所述基板孔(21)插入所述紧固构件，且所述基体金属为镁和镁合金中的任一种；和 接收部(22)，其连接到所述基板上，并由与所述基体金属不同的金属材料构成， 所述接收部具有接收部孔(22h)，通过所述接收部孔(22h)插入所述紧固构件，且所述通孔的内周面的至少一部分由所述接收部孔的内周面形成。2.如权利要求I所述的镁基复合构件，其中 所述复合材料具有用于将SiC相互结合的网状结构部， 所述基板孔设置在其中所述复合材料具有所述网状结构部的区域中，且 以所述紧固构件的头部与所述接收部接触的方式布置所述接收部。3.如权利要求I所述的镁基复合构件，其中所述复合材料含有超过70体积％的所述SiC。4.如权利要求I所述的镁基复合构件，其中 所述接收部具有金属板(22)，以所述紧固构件的头部与所述金属板(22)接触的方式布置所述金属板(22)，且 在当所述紧固构件被紧固时所述头部与所述金属板接触的状态下，在俯视图中，所述金属板延伸以从所述头部的周边突出。5.如权利要求4所述的镁基复合构件(IB)，还包含用于覆盖所述基板的至少一个表面的金属被覆层(11)，其中 所述金属板(23)的周边接合到所述金属被覆层上，且 所述金属板的一个表面在所述金属被覆层处露出。6.如权利要求4所述的镁基复合构件(1C)，还包含圆筒部(24t)，所述圆筒部(24t)覆盖所述基板孔的内周面的至少一部分，并由与所述金属材料的类型相同的金属材料构成。7.如权利要求4所述的镁基复合构件，其中在俯视图中，所述金属板的面积比所述紧固构件的头部的面积大至少10%。8.如权利要求I所述的镁基复合构件，所述镁基复合构件的热膨胀系数不低于4ppm/K且不高于8ppm/K，并且所述镁基复合构件的热导率不低于180W/m · K。9.一种散热构件(1A 1C)，其由权利要求I的镁基复合构件形成。10.一种半导体装置(90)，包含 权利要求9的散热构件；和 安装在所述散热构件上的半导体元件(94)。11.一种镁基复合构件(1D 1G)，其具有通孔(20D)，通过所述通孔(20D)插入用于连接的紧固构件(100)，所述镁基复合构件包含 基板(110)，其由SiC和基体金属的复合材料构成，所述基体金属为镁和镁合金中的任一种； 金属区域...
【专利技术属性】
技术研发人员：岩山功，西川太一郎，高木义幸，池田利哉，小山茂树，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，联合材料公司，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。