发光元件驱动电路制造技术

在交流电压的振幅发生变化时也能抑制流过发光元件的电流变化的发光元件驱动电路具备：整流电路，输出将交流电压全波整流得到的整流电压；分压电路，输出将整流电压分压得到的分压电压作为基准电压；晶体管，在导通时与整流电压相应地增加发光元件的驱动电流，在截止时使发光元件的驱动电流减少；控制电路，每隔规定期间将晶体管设为导通状态和截止状态中的一个状态，当与流过晶体管的电流相应的电压上升而成为基准电压时将晶体管设为另一个状态；分压比调整电路，在整流电压的振幅大于规定振幅时将分压电路的分压比设为第一分压比使得基准电压下降，在整流电压的振幅小于规定振幅时将分压电路的分压比设为第二分压比使得基准电压上升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种发光元件驱动电路。
技术介绍
在使用了 LED(Light Emitting Diode:发光元件)的照明设备中有时使用改善功率因数地驱动LED的LED驱动电路(例如參照专利文献I)。图11是表示LED驱动电路的一般结构的图。当向全波整流电路300提供商用电源的交流电压Vac时，全波整流电路300将交流电压Vac进行全波整流后输出。电阻310、320对由全波整流电路300进行全波整流得到的整流电压Vrec进行分压并作为基准电压Vref而输出。开关电路330每隔规定周期使NMOS晶体管340导通，当与流过LED 350的电 流相应的电压Vs成为基准电压Vref时使NMOS晶体管340截止。在LED驱动电路200中，基准电压Vref与整流电压Vrec相似，因此流过LED 350的电流的波形也与整流电压Vrec的波形相似。因而，LED驱动电路200能够改善功率因数地驱动LED 350。专利文献I :日本特开2010-50336号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题另外，商用电源的交流电压Vac的振幅有时在例如90疒140V的范围内变化较大。在这种情况下，基准电压Vref的水平的变化也大，因此其结果流过LED 350的电流的变化也大，有时导致LED 350的亮度较大地偏离于期望的亮度。本专利技术是鉴于上述课题而作出的，其目的在于提供ー种在交流电压的振幅发生变化的情况下也能够抑制流过发光元件的电流的变化的发光元件驱动电路。用于解决问题的方案为了达到上述目的，本专利技术的ー个方面所涉及的发光元件驱动电路具备整流电路，其输出将交流电压进行全波整流得到的整流电压；分压电路，其输出对上述整流电压进行分压得到的分压电压来作为基准电压；晶体管，其在导通时与上述整流电压相应地增加发光元件的驱动电流，在截止时使上述发光元件的上述驱动电流減少；控制电路，其每隔规定期间将上述晶体管设为导通状态和截止状态中的一个状态，当与流过上述晶体管的电流相应的电压上升而成为上述基准电压时将上述晶体管设为另ー个状态；以及分压比调整电路，其在上述整流电压的振幅大于规定振幅的情况下将上述分压电路的分压比设为第一分压比使得上述基准电压下降，在上述整流电压的振幅小于上述规定振幅的情况下将上述分压电路的分压比设为第二分压比使得上述基准电压上升。专利技术的效果能够提供ー种在交流电压的振幅发生变化的情况下也能够抑制流过发光元件的电流的变化的发光元件驱动电路。附图说明图I是表示作为本专利技术的一个实施方式的LED驱动电路10的结构的图。图2是表示基准电压Vrefl、Vref2的波形的一例的图。图3是表示振荡电路90的结构的图。图4是用于说明交流电压Vac的振幅大的情况下的LED驱动电路10的动作的图。图5是用于说明交流电压Vac的振幅小的情况下的LED驱动电路10的动作的图。图6是表示控制IC 51的结构的一例的图。图7是表示振荡电路120的结构的图。 图8是表示振荡电路140的结构的图。图9是表示振荡电路150的结构的图。图10是用于说明振荡电路150的动作的图。图11是表示一般的LED驱动电路200的结构的图。附图标记说明10 :LED驱动电路；20 :全波整流电路；21 :平滑化电路；22 :基准电压生成电路；30 39 :发光元件(LED) ;40、103 105 =NMOS 晶体管；41 电感器；42、165 : ニ极管；43、60、61、70 72、100 102、160 161 :电阻；50、51、55 57 :控制 IC ;62、67、109、131 :电容器；65 :分压电路；80 :电源电路；81 :基准电压电路;82、91、110、133、162 :比较器；83 :开关控制电路;90、120、140、150 :振荡电路(OSC) ；92 :SR触发器；93 :驱动电路;107、108、132 :偏压电流源;111、134、164、190 :反相器(inverter) ;106、130 PM0 S 晶体管；163 =AND 电路；DC、SW、RIN、CS、0UT、TR :端子。具体实施例方式通过本说明书以及附图的记载至少清楚以下的事项。图I是表示作为本专利技术的一个实施方式的LED驱动电路10的结构的图。LED驱动电路10是例如基于振幅在90疒140V的范围内变动的商用电源的交流电压Vac来驱动LED 3(Γ39的电路。LED驱动电路10包括全波整流电路20、平滑化电路21、基准电压生成电路22、LED 30^39, NMOS晶体管40、电感器41、ニ极管42、电阻43以及控制IC(IntegratedCircuit :集成电路)50而构成。全波整流电路20对所输入的交流电压Vac进行全波整流来输出整流电压Vrec。平滑化电路21是用于生成与整流电压Vrec的振幅相应的直流电压的电路，包括电阻60、61以及电容器62而构成。电阻60、61对整流电压Vrec进行分压，电容器62将在电阻61中产生的电压平滑化。因此，在电容器62中生成与整流电压Vrec (交流电压Vac)的振幅相应的水平的直流电压Vcl。基准电压生成电路22是生成与整流电压Vrec相似的基准电压Vref的电路，包括分压电路65、NMO S晶体管66以及电容器67而构成。分压电路65包括串联连接的电阻7(Γ72而构成。对电阻70(第一电阻)施加整流电压Vrec，电阻71(第二电阻)设置在电阻70与电阻72之间，电阻72 (第三电阻)接地。NMO S晶体管66 (开关)的源极连接在电阻71的一端，漏极连接在电阻71的另一端，在栅极上连接了电容器67。因此，在连接了电阻71和电阻72的结点上产生的基准电压Vref为以式(I)表示的电压。 Vref= (R3/ (Rl+ (R2//Rm) +R3)) XVrec— (I)在此，将电阻7(Γ72的电阻值分别设为Rf R3，将NMOS晶体管66的漏-源间的电阻设为Rm。而且，在NMOS晶体管66截止的情况下的基准电压Vrefl为Vrefl= (R3/ (R1+R2+R3)) X Vrec…(2)。此外，在NMOS晶体管66截止时的电阻值Rm设计成比电阻值R2足够大。另ー方面，在NMOS晶体管66导通的情况下的基准电压Vref2为Vref2= (R3/ (R1+R3)) X Vrec…(3) 。此外，在NMOS晶体管66导通时的电阻值Rm设计成比电阻值R2足够小。另外，在此，将在NMOS晶体管66截止的情况下的分压电路65的分压比(R3 (R1+R2+R3))设为分压比A(第一分压比)，将在NMO S晶体管66导通的情况下的分压电路65的分压比(R3 :(R1+R3))设为分压比B(第二分压比)。另外，将式(2)的系数(R3バR1+R2+R3))设为分压比A的值，将式(3)的系数(R3/(R1+R3))设为分压比B的值。因而，分压比A的值小于分压比B的值。这样，从基准电压生成电路22输出其水平与NMOS晶体管66的状态相应地变化、且与整流电压Vrec相似的基准电压Vref。LED 3(Γ39是串联连接的十个白色LED，对LED 30的阳极施加整流电压Vrec，LED39的阴极与电感器41的一端相连接。此外，设LED 3(Γ39的各自的正本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件驱动电路，其特征在于，具备：整流电路，其输出将交流电压进行全波整流得到的整流电压；分压电路，其输出对上述整流电压进行分压得到的分压电压来作为基准电压；晶体管，其在导通时与上述整流电压相应地增加发光元件的驱动电流，在截止时使上述发光元件的上述驱动电流减少；控制电路，其每隔规定期间将上述晶体管设为导通状态和截止状态中的一个状态，当与流过上述晶体管的电流相应的电压上升而成为上述基准电压时将上述晶体管设为另一个状态；以及分压比调整电路，其在上述整流电压的振幅大于规定振幅的情况下将上述分压电路的分压比设为第一分压比使得上述基准电压下降，在上述整流电压的振幅小于上述规定振幅的情况下将上述分压电路的分压比设为第二分压比使得上述基准电压上升。

【技术特征摘要】
2011.06.13 JP 2011-1314411.一种发光元件驱动电路，其特征在于，具备 整流电路，其输出将交流电压进行全波整流得到的整流电压； 分压电路，其输出对上述整流电压进行分压得到的分压电压来作为基准电压； 晶体管，其在导通时与上述整流电压相应地增加发光元件的驱动电流，在截止时使上述发光元件的上述驱动电流减少； 控制电路，其每隔规定期间将上述晶体管设为导通状态和截止状态中的一个状态，当与流过上述晶体管的电流相应的电压上升而成为上述基准电压时将上述晶体管设为另一个状态；以及 分压比调整电路，其在上述整流电压的振幅大于规定振幅的情况下将上述分压电路的分压比设为第一分压比使得上述基准电压下降，在上述整流电压的振幅小于上述规定振幅的情况下将上述分压电路的分压比设为第二分压比使得上述基准电压上升。2.根据权利要求I所述的发光元件驱动电路，其特征在于， 上述分压比调整电路具备 平滑化电路，其输出将与上述整流电压相应的电压平滑化得到的直流电压； 充放电电路，其当上述直流电压的水平低于第一水平时对电容器进行充电，当上述直流电压的水平高于上述第一水平时使上述电容器进行放电，该第一水平表示通过上述平滑化电路将与上述规定振幅的上述整流电压相应的电压平滑化时得到的电压的水平；以及开关，其当上述电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐峰，河井周平，后藤智行，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：