一种含介电层的半导体原件的切割方法技术

本发明专利技术提供一种含介电层的半导体原件的切割方法，本发明专利技术先在半导体衬底上制作多个半导体单元，然后于所述半导体衬底背面制作对532nm激光透过率大于30%的介电层，然后依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，最后裂片以完成切割。本发明专利技术通过在半导体衬底背面制作对532nm激光透过率较高的介电层，使532nm激光可以用于隐形切割，避免了1064nm激光切割时造成器件的漏电流，同时大大地降低了制造的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体加工エ艺，特别是涉及。
技术介绍
半导体照明作为新型高效固体光源，具有寿命长、节能、环保、安全等显著优点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，其应用领域正在迅速扩大，正带动传统照明、显示等行业的升级换代，其经济效益和社会效益巨大。正因如此，半导体照明被普遍看作是21世纪最具发展前景的新兴产业之一，也是未来几年光电子领域最重要的制高点之一。发光二极管是由III-IV族化合物，如GaAs (神化镓)、GaP (磷化镓)、GaAsP (磷砷 化镓)等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光。近年来，制造高集成、高性能的半导体产品的半导体エ业相继发展半导体薄片加エ技木。为了提高生产效率，各处的半导体产品使用半导体薄片加工技术把几个到几千万个半导体仪器集成到一块称为“晶片”的高纯度衬底上。一块几英寸晶片上要制造的芯片数目达几千片，在封装前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含介电层的半导体原件的切割方法，其特征在于，所述切割方法至少包括以下步骤：1)提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；2)于所述半导体衬底的背表面制作介电层，所述介电层对532nm激光的透过率大于30%；3)采用532nm激光并依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以在所述半导体衬底内部形成与各该半导体单元对应的变质层结构；4)依据所述变质层结构对所述半导体原件进行裂片，以获得相互分离的多个半导体单元。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：单立伟，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：