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本发明提供一种含介电层的半导体原件的切割方法，本发明先在半导体衬底上制作多个半导体单元，然后于所述半导体衬底背面制作对532nm激光透过率大于30%的介电层，然后依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，最后裂片以完成切割。本发明通过...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司授权不得商用。

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