显示装置和显示装置用阵列基板的制造方法制造方法及图纸

一种显示装置，具备：条状的多个数据电极(3)，其形成于第1基板(1)，在列方向延伸；多条扫描线(11)和多条基准信号线(12)，其形成于第2基板(2)，在行方向延伸；多个像素电极(10)，其形成于第2基板(2)，呈矩阵状配置；多个开关元件(T1)，其形成于第2基板(2)，由多条扫描线(11)控制导通/截止，且设于多条基准信号线(12)与多个像素电极(10)之间；以及氧化物半导体层(22)，其设于源极电极(21)与漏极电极(20)之间。隔着绝缘层(23)使栅极电极(11a)靠近配置于氧化物半导体层(22)而形成开关元件(T1)，与源极电极(21)或者漏极电极(20)连接地设有像素电极(10)。像素电极(10)所连接的源极电极(21)或者漏极电极(20)包含与像素电极(10)相同的材料。源极电极(21)和漏极电极(20)包含同时形成的膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及将氧化物半导体使用于开关元件的。本申请基于2010年3月26日在日本申请的特愿2010-072382号主张优先权，在此引用其内容。
技术介绍
为了降低搭载有源矩阵驱动的液晶面板的大型液晶电视的成本，省エ艺化是有效的。但是，在当前的大型液晶电视用薄膜晶体管基板(TFT基板)的制造エ艺中，最低限度需要基于4 5次光刻エ艺和2次CVD (Chemical Vapor Deposition :化学气相沉积)エ艺的成膜。这些处理成为省エ艺化的实质性的界限。 设于TFT基板的薄膜晶体管最低也需要3种电极(源极电极、漏极电极、栅极电扱)。并且，要求构成薄膜晶体管的栅极为低电阻；源扱/漏极为低电阻；源扱/漏极和栅极被绝缘；像素电极为透明，连接到漏极，与栅极绝缘等。另外，应用于TFT基板的薄膜晶体管的a-Si型的薄膜晶体管在与电极金属的连接部分必须设为n+a-Si层，以使得没有肖特基势垒。在上面的背景中，基于图21A 图21F对应用于现状的TFT基板的制造的a-Si型薄膜晶体管制造エ艺的第I例进行说明。如图21A所示，在绝缘基板100上形成Al和Mo的层叠膜后在形成期望形状的栅极电极1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：镰田豪，青森繁，井出哲也，大桥诚二，胜田升平，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：