半导体设备的在线光致发光成像制造技术

本发明专利技术涉及一种当硅太阳电池和晶片沿生产线（36）前进时用于采集硅太阳电池和晶片的光致发光图像的方法。在优选实施例中，该图像在保持样品移动的过程中被采集。在某些实施例中，光致发光通过短脉冲和高强度激发来产生，所述高强度激发例如闪光灯（50），而在其它一些实施例中，图像以在线扫描的方式被采集。光致发光图像被分析后能够得到关于许多样品特性的平均或空间分辨值的信息，所述特性包括样品的少数载流子扩散长度、少数载流子寿命、位错缺陷、杂质和分流等，或裂纹的发生或生长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于对半导体设备进行光致发光分析的方法和系统，特别是在生产过程期间或之后对硅太阳能电池进行光致发光分析的方法和系统。相关申请本申请要求申请号为2010900018、2010903050和2010903975的澳大利亚在先专利申请的优先权，其内容此处作为引用并入。
技术介绍
本说明书中所提到的现在技术不应该被认为是已经被广泛地知晓，或不应该被认为构成本领域的公知常识的一部分。在公开号为WO 2007/041758A1名称为“用于检测间接带隙半导体结构的方法和系统”的PCT申请中，提出了一种用于光致发光(PL)成像的装置和方法，此处作为引用并入，已经表明其用于硅材料和设备，特别是硅晶片太阳能电池快速表征的价值。如图I所示，光源6的超越带隙光8宽范围光子激发半导体样品4使其产生发光2并通过集光元件11由照相机或CCD阵列成像，优选地包括用于改善宽范围激发的均匀性的各向同性的光学元件11，以及照相机前方的用于阻挡激发光长通滤波器。该系统还包括一个或多个滤波器15来选择光子激发的波长范围。对于相对薄的样品还可以将激发光源6和照相机10设置在样品4的相对侧，如图2所示，其中样品本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊恩·安德鲁·麦克斯威尔，托斯顿·特鲁普克，罗伯特·安德鲁·巴多斯，肯尼斯·艾德蒙·阿内特，
申请(专利权)人：BT成像股份有限公司，
类型：发明
国别省市：