用于光伏电池和晶片的光致发光成像的照射系统和方法技术方案

本发明专利技术涉及一种用于分析半导体材料（8）的方法，尤其是涉及一种利用在高强度照射下产生的光致发光的成像来分析硅光伏电池和电池前驱的方法。通过该照射得到的高光致发光信号水平（16）能够实现对移动中的样品的具有最小模糊的图像的采集。使得半导体设备生产商感兴趣的某些材料的缺陷，尤其是裂痕，在高强度照射下显得很清晰。在某些实施例中，通过采用高强度照射和低强度照射产生的光致发光图像与重点被选的材料特性或缺陷进行比较。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及照射系统，以及使用这些系统利用光致发光图像来表征半导体材料的方法。该照射系统尤其适用于表征硅光伏电池以及电池前驱。相关申请本申请要求申请号为2010900018、2010903050和2010903975的澳大利亚临时专利申请的优先权，其内容此处作为引用并入。
技术介绍
本说明书中所提到的现在技术不应该被认为是已经被广泛地知晓，或不应该被认 为构成本领域的公知常识的一部分。几十年来，半导体工业利用光致发光(PL)，即通过超越带隙激发所产生的发光，作为用于研究直接带隙半导体材料的非破坏性方法，特别是用于确定缺陷的存在。通常，利用激光聚焦在样品的小区域上来产生光致发光，而为了研究大区域，激光光束或样品为被扫描后用于产生光致发光辐射图的光栅。由于对高空间分辨率的要求，例如当绘制缺陷分布图时，由于连带高强度产生强光致发光响应，通常采用聚焦光束激发。AT&T Bell实验室已考虑利用大范围照射进行直接带隙半导体的光致发光成像(G. Livescu et al, Journalof Electronic Materials 19 (9) 937-942 (1990))，但本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·安德鲁·巴多斯，约尔根·韦伯，托斯顿·特鲁普克，伊恩·安德鲁·麦克斯威尔，韦恩·麦克米兰，
申请(专利权)人：BT成像股份有限公司，
类型：发明
国别省市：