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本发明涉及一种用于分析半导体材料（8）的方法，尤其是涉及一种利用在高强度照射下产生的光致发光的成像来分析硅光伏电池和电池前驱的方法。通过该照射得到的高光致发光信号水平（16）能够实现对移动中的样品的具有最小模糊的图像的采集。使得半导体设备生...
该专利属于BT成像股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过BT成像股份有限公司授权不得商用。

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