腔体预热方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种腔体预热方法，该方法包括：提供三片晶控片；使所述三片晶控片按顺序依次进入第一腔体、第二腔体和第三腔体内，对所述第一腔体、第二腔体和第三腔体各进行三次预热。本发明专利技术所提供的腔体预热方法，由于采用三片晶控片，并使所述三片晶控片按顺序依次进入第一腔体、第二腔体和第三腔体，因此，当第二片晶控片进入第一腔体时，第二腔体并未处于闲置状态，当第三片晶控片进入第一腔体时，第二腔体和第三腔体均未处于闲置状态，因此，本发明专利技术所提供的腔体预热方法可减少第二腔体和第三腔体处于闲置状态的时间，进而可缩短工艺流程时间，提高产量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，更具体地说，涉及一种。
技术介绍
半导体器件制造过程可分为前段工艺和后段工艺，前段工艺中主要在晶片上形成晶体管、电容或电阻等相应器件，后段工艺主要将前段工艺中形成的器件通过金属相连，即主要形成金属互连。在前段工艺向后段工艺过渡的过程中，包括如下工艺步骤源/漏形成、氧化层沉积、SAB (Salicide Block,金属娃化物阻挡层)形成等。其中，SAB工艺过程中需要将晶片放入特定的仪器(例如可以为ENDURA5500机台)内，并使晶片依次通过仪器上的清洗腔、钴沉积腔及氮化钛沉积腔。在对晶片进行上述 SAB工艺之前，首先需要对该特定仪器上的清洗腔、钴沉积腔及氮化钛沉积腔分别进行特定时间段的预热(du_y)。现有工艺中对ENDURA5500机台上的清洗腔、钴沉积腔及氮化钛沉积腔进行预热的工艺流程主要包括如下步骤首先采用三片晶控片对该机台上的清洗腔进行三次预热；之后再采用三片晶控片对该机台上的钴沉积腔进行三次预热；最后对氮化钛沉积腔进行预热，此过程不需要晶控片，而是在氮化钛沉积腔内设置有特定的金属圆盘来代替晶控片。各腔体预热完毕后，方可采用正常晶片进行SAB工艺。但是，依照上述方法对各腔体进行预热时，由于对各腔体的预热顺序依次进行，因此，在对清洗腔预热时，钴沉积腔及氮化钛沉积腔均处于闲置(idle)状态，之后对钴沉积腔进行预热，所述氮化钛沉积腔仍然处于闲置状态，这就使得钴沉积腔和氮化钛沉积腔闲置的时间较长，进而不利于工艺流程时间的缩短，不利于提高产量。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种，采用该方法对各腔体进行预热时能够有效地缩短腔体的闲置时间，进而可缩短工艺流程时间，利于提高产品的产量。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案一种，该方法包括提供二片晶控片；使所述三片晶控片按顺序依次进入第一腔体、第二腔体和第三腔体内，对所述第一腔体、第二腔体和第三腔体各进行三次预热。优选的，上述方法中，每一晶控片依次进入第一腔体内、第二腔体和第三腔体内，并在各腔体内停留的时间分别为第一预设时间、第二预设时间和第三预设时间。优选的，上述方法中，所述第一预设时间为对第一腔体进行一次预热的时间。优选的，上述方法中，所述第二预设时间为对第二腔体进行一次预热的时间。优选的，上述方法中，每一晶控片由第三腔体内出来后触发第三腔体进行自动预热。优选的，上述方法中，对所述第三腔体进行一次预热的时间为第四预设时间。优选的，上述方法中，所述第一预设时间大于第二预设时间。优选的，上述方法中，所述第一预设时间大于第四预设时间。优选的，上述方法中，所述第一腔体、第二腔体和第三腔体分别为清洗腔、钴沉积腔和氮化钛沉积腔。从上述技术方案可以看出，本专利技术所提供的采用三片晶控片，使所述三片晶控片按顺序依次进入第一腔体、第二腔体和第三腔体内，对所述第一腔体、第二腔体和第三腔体各进行三次预热。由于三片晶控片按顺序依次进入各个腔体内，因此，当第一片晶控片由第一腔体进入到第二腔体后，这时，第二片晶控片即可进入第一腔体内，即当采用第二片晶控片对第一腔体进行预热时，第二腔体并未处于闲置状态，同理，当第三片晶控片进入第一腔体，第二片晶控片进入第二腔体，第一片晶控片进入第三腔体后，这时的状态为采用第三片晶控片对第一腔体进行预热，同时所述第二腔体和第三腔体均未处于闲 置状态，因此，本专利技术所提供的可缩短第二腔体和第三腔体处于闲置状态的时间，进而可缩短工艺流程时间，提高产量。除此之外，本专利技术所提供的只采用三片晶控片即可完成对三个腔体的预热，而现有工艺中需要采用六片晶控片对所述三个腔体进行预热，因此，采用本专利技术所提供的方法可节省晶控片的数量，进而节省成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术实施例所提供的一种的流程示意图。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。正如
技术介绍
部分所述，采用现有工艺对ENDURA5500机台上的清洗腔、钴沉积腔及氮化钛沉积腔进行预热的工艺过程中，由于在清洗腔完全预热完毕后才对钴沉积腔进行预热，在钴沉积腔完全预热完毕后才进行氮化钛沉积腔的预热，因此，使得钴沉积腔和氮化钛沉积腔处于闲置状态的时间较长，从而不利于工艺流程时间的缩短，不利于产品产量的提闻。有鉴于此，本专利技术提供了一种，该方法包括提供三片晶控片；使所述三片晶控片按顺序依次进入第一腔体、第二腔体和第三腔体内，对所述第一腔体、第二腔体和第三腔体各进行三次预热。本专利技术所提供的中，使三片晶控片按顺序依次进入第一腔体、第二腔体和第三腔体内，从而使得第一片晶控片由第一腔体进入第二腔体后，第二片晶控片即可进入第一腔体内，因此，采用第二片晶控片对第一腔体进行预热的同时，第二腔体也在预热，即第二腔体并未处于闲置状态；同理，当采用第三片晶控片对第一腔体进行预热时，第二腔体和第三腔体均未处于闲置状态，因此，缩短了第二腔体和第三腔体处于闲置状态的时间，进而缩短了整个预热时间，从而为提高生产效率、提高产量奠定了基础。再有，本专利技术在对三个腔体进行预热的过程中，只采用了三片晶控片，相比现有技术来说，节省了晶控片的数量，进而可节省成本。下面结合附图详细描述本专利技术所提供的。参考图1，图I为本专利技术实施例所提供的一种的流程示意图，该方法具体包括如下步骤 步骤SI :提供二片晶控片。所述晶控片并非为正常工艺流程中所用的晶片，而是用来做测试、预热或其他用途的质量稍次的晶片，晶控片的形状、大小与正常的晶片均相同。本步骤中首先提供三片完全相同的晶控片，可分别记为第一片晶控片、第二片晶控片和第三片晶控片。且所述三片晶控片上均沉积有氧化层。步骤S2 :使所述三片晶控片按顺序依次进入第一腔体、第二腔体和第三腔体内，对所述第一腔体、第二腔体和第三腔体各进行三次预热。将步骤SI中所提供的第一片晶控片、第二片晶控片和第三片晶控片按顺序排列，使第一片晶控片首先进入第一腔体内，并在第一腔体内停留第一预设时间。所述第一预设时间是人为预先在ENDURA5500机台内的程序内设置好的，该时间与现有工艺中设置的时间相同。第一片晶控片停留在第一腔体内的时间即为对第一腔体进行第一次预热的时间，因此，对第一腔体进行第一次预热的时间为第一预设时间。当第一腔体第一次预热完毕后，由NDURA5500机台内的程序(以下简称程序)控制第一片晶控片由第一腔体进入第二腔体，且第一片晶控片在所述程序的控制下在第二腔体内停留第二预设时间。所述第二预设时间也是人为预先在程序内设置的，该时间与现有工艺中设置的时间相同。第一片晶控片停留在第二腔体内的时间即为对第二腔体进行第一次预热的时间，因此，对第二腔体进行第一次预热的时间为第二预设时间。当本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种腔体预热方法，其特征在于，包括：提供三片晶控片；使所述三片晶控片按顺序依次进入第一腔体、第二腔体和第三腔体内，对所述第一腔体、第二腔体和第三腔体各进行三次预热。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陶晟，刘长安，赵强，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：