铸造法生产类似单晶大面积晶种制备方法技术

铸造法生产类似单晶大面积晶种制备方法，涉及晶种制备方法，包括以下步骤：a选择位错密度小于30000个/平方厘米的满足太阳能级单晶硅标准的单晶硅棒；b将硅棒按照太阳能方棒制造方法进行开方，即切掉边皮后出现的平面平行于硅棒中两条相邻棱线组成的平面；其中切掉边皮出现的两个相互垂直的平面，以其中任意的一个平面均可为基准平面；c之后沿着切掉边皮后的基准平面，平行基准平面每间隔10mm－20mm，切割出正方或长方体即为大面积晶种。本发明专利技术的有益效果是：通过本方法制备的晶种面积是传统方法1-20倍，从而可有效增大晶种面积，减少晶种及其边缘引起的缺陷。可有效解决类似单晶大量位错而导致产品光电转化效率偏低问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体生长领域，进ー步涉及晶种制备方法，具体是铸造法生产类似单晶娃淀大面积晶种制备方法。
技术介绍
生产硅锭的方法有CZ法生产单晶硅锭，铸锭法生产多晶硅锭，FZ法生产单晶硅錠、EFG生产硅带等方法。由于成本问题，目前太阳能电池片主要使用CZ法单晶硅片和铸造法多晶硅片。CZ法单晶硅由于制造成本是铸锭多晶硅的4 5倍，能耗上高出5 7倍，导致CZ单晶硅的市场份额越来越少。但由于铸锭法生产多晶硅锭，存在大量的位错、晶界，使得铸锭法多晶硅片制成的电池片，存在效率偏低的情况，一直使铸锭法多晶硅锭无法完全取代CZ单晶硅锭。 在国际上，跨国巨头BP公司对用铸锭炉生产类似单晶硅锭的エ艺已开发多年，2010年被ALD收购，使得ALD多晶铸锭炉已经小規模开发出铸锭法生产类似单晶(准单晶)硅锭的设备和エ艺。目前，尚未见到针对铸锭炉生长类似单晶(准单晶)过程中，鋳造法生产类似单晶(准单晶)硅锭大面积晶种制备方法的内容的公开报道或专利申请。传统的方法是用〈100〉晶向的硅棒沿垂直生长方向切割3 — 50mm的厚片做为晶种，带来的问题是晶种尺寸过小，在晶种之间的交界处会出现大量位错而导致产品光电转化效率偏低问题，从而造成生产成本大幅提高。(晶种尺寸小，那么需要拼接的晶种块数就会増加，晶种间的交界也会增多，在晶种交界处长上去的晶粒间的位错就会衍生。)
技术实现思路
本专利技术的目的就是提供一种铸造法生产类似单晶硅锭大面积晶种制备方法，在铸锭炉生长类似单晶(准单晶)过程中，可改善类似单晶中存在的大量位错，解决大量位错导致产品光电转化效率偏低问题。本专利技术的目的是通过以下方案实现的 鋳造法生产类似单晶(准单晶)大面积晶种制备方法，其特征在于包括以下步骤a选择位错密度小于30000个/平方厘米的满足太阳能级单晶硅标准的单晶硅棒；b将硅棒按照太阳能方棒制造方法进行开方，即切掉边皮后出现的平面平行于硅棒中两条相邻棱线组成的平面；其中切掉边皮出现的两个相互垂直的平面，以其中任意的ー个平面均可为基准平面；c之后沿着切掉边皮后的基准平面，平行基准平面每间隔IOmm — 20mm，切割出正方或长方体即为大面积晶种。本专利技术的目的可通过以下方案进ー步实现 所述的满足太阳能级单晶硅标准的单晶硅棒指氧化诱生层错、电阻率、少子寿命、氧碳含量、裂伤、阴影等參数，应满足太阳能级单晶硅标准。所述的单晶硅棒晶向为〈100〉，其包括、、及其相反晶向。所述的单晶娃棒直径为170_300mm。(常用的有6寸,6. 5寸,8寸都可以，一般来说，硅棒直径越大可切出的晶种面积越大。) 所述的开方时，平行于单晶硅棒生长方向进行切割。切割过程中需要垂直、、]晶向及其相反晶向。本专利技术的目的还可通过以下方案进一步实现的 所述晶种制备切割方向与晶向及其相反晶向垂直。所述晶种制备切割方向与晶向及其相反晶向垂直。本专利技术的有益效果在于通过本方法制备的晶种面积是传统方法1—20倍(6寸单晶棒现在可拉到2. 5m长，除以125mm，所以最大为20倍，但是其局限于坩埚的大小。I倍 其意义在于可以有效利用的晶棒长度。)，从而可有效增大晶种面积，减少晶种及其边缘引起的缺陷。可有效解决类似单晶大量位错而导致产品光电转化效率偏低问题，使得铸锭炉生长类似单晶的光电转化效率提闻，经相关试验表明可提闻O. 1%以上。具体实施例方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，并使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例对本专利技术作进一步详细的说明。实施例I : 铸造法生产类似单晶硅锭大面积晶种制备方法，采用晶向为的直径为205±5mm的单晶硅棒，检测确定位错密度小于3000个/平方厘米，以及无氧化诱生层错，电阻率、少子寿命、氧碳含量、裂伤、阴影等参数，应满足太阳能级单晶硅标准。将硅棒按照太阳能方棒制造方法进行开方，即切掉边皮后出现的平面平行于硅棒中两条相邻棱线组成的平面。其中切掉边皮出现的两个相互垂直的平面，以其中任意的一个平面均可为基准平面。之后沿着切掉边皮后的基准平面，平行基准平面每间隔10mm，切割出正方或长方体即为大面积晶种。实施例2: 铸造法生产类似单晶硅锭大面积晶种制备方法，采用晶向为的直径为220±5mm的单晶硅棒，检测确定位错密度小于10000个/平方厘米，以及无氧化诱生层错，电阻率、少子寿命、氧碳含量等参数满足太阳能级单晶硅标准。将硅棒按照太阳能方棒制造方法进行开方，即切掉边皮后出现的平面平行于硅棒中两条相邻棱线组成的平面。其中切掉边皮出现的两个相互垂直的平面，以其中任意的一个平面均可为基准平面。之后沿着切掉边皮后的基准平面，平行基准平面每间隔20mm，切割出正方或长方体即为大面积晶种。实施例3 铸造法生产类似单晶硅锭大面积晶种制备方法，采用晶向为的直径为170±5mm的单晶硅棒，检测确定位错密度小于30000个/平方厘米，以及无氧化诱生层错，电阻率、少子寿命、氧碳含量等参数满足太阳能级单晶硅标准。将硅棒按照太阳能方棒制造方法进行开方，即切掉边皮后出现的平面平行于硅棒中两条相邻棱线组成的平面。其中切掉边皮出现的两个相互垂直的平面，以其中任意的一个平面均可为基准平面。之后沿着切掉边皮后的基准平面，平行基准平面每间隔20mm，切割出正方或长方体即为大面积晶种。以上所述，仅为本专利技术的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.，其特征在于包括以下步骤a选择位错密度小于30000个/平方厘米的满足太阳能级单晶硅标准的单晶硅棒；b将硅棒按照太阳能方棒制造方法进行开方，即切掉边皮后出现的平面平行于硅棒中两条相邻棱线组成的平面；其中切掉边皮出现的两个相互垂直的平面，以其中任意的一个平面均可为基准平面；c之后沿着切掉边皮后的基准平面，平行基准平面每间隔IOmm — 20mm，切割出正方或长方体即为大面积晶种。2.根据权利要求I所述的，其特征在于所述的满足太阳能级单晶硅标准的单晶硅棒指氧化诱生层错、电阻率、少子寿命、氧碳含量、裂伤、阴影参数，应满足太阳能级单晶硅标准。3.根据权利要求I所述的，其特征在于所述的单晶硅棒晶向为〈100〉，其包括、、及其相反晶向。4.根据权利要求I所述的，其特征在于所述的单晶硅棒直径为170-300mm。5.根据权利要求I所述的，其特征在于所述的开方时，平行于单晶硅棒生长方向进行切割；切割过程中需要垂直、、晶向及其相反晶向。全文摘要，涉及晶种制备方法，包括以下步骤a选择位错密度小于30000个/平方厘米的满足太阳能级单晶硅标准的单晶硅棒；b将硅棒按照太阳能方棒制造方法进行开方，即切掉边皮后出现的平面平行于硅棒中两条相邻棱线组成的平面；其中切掉边皮出现的两个相互垂直的平面，以其中任意的一个平面均可为基准平面；c之后沿着切掉边皮后的基准平面，平行基准平面每间隔10mm－20mm，切割出正方或长方体即为大面积晶种。本专利技术的有益效果是通过本方法制备的晶种面积是传统方法1-20倍，从而可有效增大晶种面积，减少晶种及其边缘引起的缺陷。可有效解决类似单晶大量位错而导致产品光电转化效率偏低问题。文档编号C30B28/06GK10280本文档来自技高网...

【技术保护点】
铸造法生产类似单晶大面积晶种制备方法，其特征在于包括以下步骤：a选择位错密度小于30000个/平方厘米的满足太阳能级单晶硅标准的单晶硅棒；b将硅棒按照太阳能方棒制造方法进行开方，即切掉边皮后出现的平面平行于硅棒中两条相邻棱线组成的平面；其中切掉边皮出现的两个相互垂直的平面，以其中任意的一个平面均可为基准平面；c之后沿着切掉边皮后的基准平面，平行基准平面每间隔10mm－20mm，切割出正方或长方体即为大面积晶种。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石坚，孙志刚，刘茂华，韩子强，
申请(专利权)人：安阳市凤凰光伏科技有限公司，石坚，
类型：发明
国别省市：