【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体生长领域，进ー步涉及晶种制备方法，具体是铸造法生产类似单晶娃淀大面积晶种制备方法。
技术介绍
生产硅锭的方法有CZ法生产单晶硅锭，铸锭法生产多晶硅锭，FZ法生产单晶硅錠、EFG生产硅带等方法。由于成本问题，目前太阳能电池片主要使用CZ法单晶硅片和铸造法多晶硅片。CZ法单晶硅由于制造成本是铸锭多晶硅的4 5倍，能耗上高出5 7倍，导致CZ单晶硅的市场份额越来越少。但由于铸锭法生产多晶硅锭，存在大量的位错、晶界，使得铸锭法多晶硅片制成的电池片，存在效率偏低的情况，一直使铸锭法多晶硅锭无法完全取代CZ单晶硅锭。 在国际上，跨国巨头BP公司对用铸锭炉生产类似单晶硅锭的エ艺已开发多年，2010年被ALD收购，使得ALD多晶铸锭炉已经小規模开发出铸锭法生产类似单晶(准单晶)硅锭的设备和エ艺。目前，尚未见到针对铸锭炉生长类似单晶(准单晶)过程中，鋳造法生产类似单晶(准单晶)硅锭大面积晶种制备方法的内容的公开报道或专利申请。传统的方法是用〈100〉晶向的硅棒沿垂直生长方向切割3 — 50mm的厚片做为晶种，带来的问题是晶种尺寸过小，在晶种之间的交界处会出现大量...
【技术保护点】
铸造法生产类似单晶大面积晶种制备方法，其特征在于包括以下步骤：a选择位错密度小于30000个/平方厘米的满足太阳能级单晶硅标准的单晶硅棒；b将硅棒按照太阳能方棒制造方法进行开方，即切掉边皮后出现的平面平行于硅棒中两条相邻棱线组成的平面；其中切掉边皮出现的两个相互垂直的平面，以其中任意的一个平面均可为基准平面；c之后沿着切掉边皮后的基准平面，平行基准平面每间隔10mm－20mm，切割出正方或长方体即为大面积晶种。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：石坚，孙志刚，刘茂华，韩子强，
申请(专利权)人：安阳市凤凰光伏科技有限公司，石坚，
类型：发明
国别省市：
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