一种新型的气体导流控制装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种新型的气体导流控制装置，包括石英坩埚以及设置在石英坩埚上的盖板，所述盖板连接有石墨套管，且石墨套管的底端穿透盖板，所述石墨套管的底端连接有气体控制器。该气体导流控制装置使得氩气流向可有效控制，可有效控制气流场方向，有效地以最快的速度将铸锭过程中产生的CO、CO2及SiO等气体迅速带走，且由于分流管和导气孔的特殊设计，可使保护气体更有效的在熔硅上方形成一层惰性气体保护层，阻止了挥发气体和盖板的反应；且由于盖板可上下调节，避免在硅熔体表面形成涡流，可大大降低杂质气体与硅熔体表面的接触几率，从而明显降低铸造多晶硅中碳氧含量。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种新型的气体导流控制装置，属于太阳能光伏领域。
技术介绍
在太阳能光伏领域，铸造多晶硅作为一种低成本材料，占据了目前50%以上 的商业化晶体硅太阳能电池市场。但由于铸锭过程中加热器、隔热笼以及石墨护板等碳材料的使用，引入大量碳杂质。高温下，石墨部件与氧、石英坩埚等发生热化学反应产生的CO气体通过内部气流进入硅熔体中，极易被熔硅吸收，从而引入碳氧杂质。常规铸锭中硅锭的氧浓度为I X IO1Vcm3 I X IO1Vcm3,主要以间隙态存在呈过饱和状态。由于铸锭工艺经历了从高温到低温的热处理过程，如果氧浓度过高就容易形成热施主或氧沉淀，成为复合中心或引入复合中心的二次缺陷，导致硅材料中少数载流子寿命降低，直接影响到太阳电池的光电转换效率。此外氧与硼原子作用形成的B-O对，也会导致太阳电池效率的降低；碳浓度可达IX IO1Vcm3,甚至超过碳在硅中的固溶度(4X1017/cm3)。碳杂质可以作为氧沉淀的形成核心产生原生氧沉淀，而高浓度的碳可在硅熔体中形成SiC颗粒，影响硅锭的有效利用率。因此制备低碳低氧含量铸造多晶硅锭对于多晶硅太阳电池实现低成本高效率具有重要的意义。现有的铸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型的气体导流控制装置，包括石英坩埚（9）以及设置在石英坩埚（9）上的盖板（7），所述盖板（7）连接有石墨套管（5），且石墨套管（5）的底端穿透盖板（7），其特征在于：所述石墨套管（5）的底端连接有气体控制器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林洪峰，王临水，方志文，李书森，姚志东，冯媛，刘兴翀，兰洵，张凤鸣，
申请(专利权)人：天威新能源控股有限公司，保定天威集团有限公司，
类型：实用新型
国别省市：