二维阵列X射线检测器的检查方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种二维阵列X射线检测器的检查方法，该检查方法能够通过对具有其尺寸在短时间内变大的增长性的缺陷像素进行识别，来识别不适合于X射线摄影的二维阵列X射线检测器。该二维阵列X射线检测器的检查方法包括以下步骤：偏置电压步骤，多次反复利用共用电极施加偏置电压和停止施加偏置电压；暗电流值测量步骤，对不照射X射线的状态下的各像素的像素值进行测量；缺陷像素识别步骤，根据在暗电流值测量步骤中测量出的各像素的像素值来识别缺陷像素；以及判断步骤，根据在缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸来判断二维阵列X射线检测器是否合适。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种二维阵列X射线检测器的检查方法。
技术介绍
作为在X射线摄影装置中使用的二维阵列X射线检测器，例如已知一种平板检测器(FPD)。该平板检测器具有如下结构在将TFT等开关元件配置成二维阵列(矩阵)状的基板上蒸镀了 a-Se (非晶硒)等转换膜。在该平板检测器中，当穿过被检体而形成的X射线图像被投影到转换膜上时，在转换膜内产生与图像的浓度成比例的电荷信号。利用被配置成二维阵列状的像素电极来收集该电荷信号，并蓄积到静电电容(capacitance)中。随着开关元件的动作读出静电电容所蓄积的电荷，并将该电荷作为电信号发送到图像处理部来进行图像处理(参照专利文献I)。专利文献I :日本特开2008-301883号公报
技术实现思路
_4] 专利技术要解决的问题在使用了这种a-Se等转换膜的二维阵列X射线检测器中，有时在制造过程中产生缺陷像素。在使用二维阵列X射线检测器的期间，这些缺陷像素中的部分缺陷像素的数量、尺寸急剧增长，短时间内会妨碍X射线摄影。这样，关于存在具有在短时间内急剧增长的增长性的缺陷像素的二维阵列X射线检测器，由于缺陷像素造成不能准确地进行X射线摄影，因此不能将该二维阵列X射线检测器用于X射线摄影装置等。另一方面，并非所有的缺陷像素均是具有像这样地在短时间内急剧增长的增长性的缺陷像素。关于不具有增长性的缺陷像素，通过进行缺陷登记并对像素值进行插值，能够将具备这种缺陷像素的二维阵列X射线检测器用于X射线摄影。因此，关于缺陷像素，需要判断其是急剧增长的缺陷像素还是尺寸不发生变化的缺陷像素，但是现状是，即使考虑二维阵列X射线检测器中的缺陷数量、缺陷尺寸等，也仍无法进行这种判断。本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供如下一种二维阵列X射线检测器的检查方法通过对具有在短时间内其尺寸变大的增长性的缺陷像素进行识别，能够识别不适合于X射线摄影的二维阵列X射线检测器。用于解决问题的方案专利技术I中记载的专利技术是一种二维阵列X射线检测器的检查方法，该二维阵列X射线检测器具备转换膜，其感应X射线并输出与入射的X射线剂量相对应的电荷信号；共用电极，其形成在上述转换膜的表面，对上述转换膜施加偏置电压；多个像素电极，其在上述转换膜的与上述共用电极相反一侧的表面与像素相对应地配置成矩阵状；多个储能电容，其分别与各上述像素电极相连接并蓄积电荷信号；开关元件，其与上述像素电极相连接；栅极驱动器，其在读出信号时通过栅极总线使各开关元件依次导通；以及数据集成部，其通过数据总线读出各上述储能电容所蓄积的电荷信号，该二维阵列X射线检测器的检查方法包括以下步骤偏置电压步骤，多次反复利用上述共用电极施加偏置电压和停止施加偏置电压；暗电流值测量步骤，对没有照射X射线的状态下的各像素的像素值进行测量；缺陷像素识别步骤，根据在上述暗电流值测量步骤中测量出的各像素的像素值来识别缺陷像素；以及判断步骤，根据在上述缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸来判断二维阵列X射线检测器是否合适。专利技术2中记载的专利技术为，在专利技术I中记载的专利技术中，上述偏置电压步骤中的施加偏置电压的时间和停止施加偏置电压的时间是通过测量缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸随时间的变化来预先设定为上述转换膜的电荷状态稳定的期间的时间。专利技术3中记载的专利技术是一种二维阵列X射线检测器的检查方法，该二维阵列X射线检测器具备转换膜，其感应X射线并输出与入射的X射线剂量相对应的电荷信号；共用电极，其形成在上述转换膜的表面，对上述转换膜施加偏置电压；多个像素电极，其在上述转换膜的与上述共用电极相反一侧的表面与像素相对应地配置成矩阵状；多个储能电容，其分别与各上述像素电极相连接并蓄积电荷信号；开关元件，其与上述像素电极相连接；栅极驱动器，其在读出信号时通过栅极总线使各开关元件依次导通；以及数据集成部，其通过数据总线读出各上述储能电容所蓄积的电荷信号，该二维阵列X射线检测器的检查方法的特征在于，包括以下步骤偏置电压步骤，多次反复利用上述共用电极施加偏置电压和施加反向偏置电压；暗电流值测量步骤，对没有照射X射线的状态下的各像素的像素值进行测量；缺陷像素识别步骤，根据在上述暗电流值测量步骤中测量出的各像素的像素值来识别缺陷像素；以及判断步骤，根据在上述缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸来判断二维阵列X射线检测器是否合适。专利技术4中记载的专利技术为，在专利技术3中记载的专利技术中，上述偏置电压步骤中的施加偏置电压的时间和施加反向偏置电压的时间是通过测量缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸随时间的变化来预先设定为上述转换膜的电荷状态稳定的期间的时间。专利技术5中记载的专利技术为，在专利技术I至4中的任一项所述的专利技术中，在上述判断步骤中，根据在上述缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素制作缺陷映射表，基于该缺陷映射表判断二维阵列X射线检测器是否合适。专利技术6中记载的专利技术为，在专利技术5中记载的专利技术中，在上述偏置电压步骤之前还包括制作初始的缺陷映射表的初始缺陷映射表制作步骤，在上述判断步骤中，将根据在上述缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素生成的缺陷映射表与在上述初始缺陷映射表制作步骤中制作的初始的缺陷映射表进行比较，由此判断二维阵列X射线检测器是否合适。专利技术7中记载的专利技术为，在专利技术I至4中的任一项中记载的专利技术中，在上述暗电流值测量步骤中，在没有对上述转换膜照射X射线的状态下，使上述开关元件依次导通来检测各像素的电荷信号。专利技术8中记载的专利技术为，在专利技术I至8中的任一项中记载的专利技术中，在上述偏置电压步骤中，对上述转换膜进行加热。专利技术的效果、根据专利技术I和专利技术2中记载的专利技术，通过多次反复利用共用电极施加偏置电压和停止施加偏置电压来对转换膜施加应力，由此能够促进缺陷像素的增长。因此，能够识别出具有在短时间内其数量、尺寸变大的增长性的缺陷像素，从而能够识别不适合于X射线摄影的二维阵列X射线检测器。根据专利技术3和专利技术4中记载的专利技术，通过多次反复利用共用电极施加偏置电压和施加反向偏置电压来对转换膜施加应力，由此能够在更短的时间内促进缺陷像素的增长。因此，能够识别出具有在短时间内其数量、尺寸变大的增长性的缺陷像素，从而能够识别不适合于X射线摄影的二维阵列X射线检测器。根据专利技术5中记载的专利技术，能够基于缺陷映射表断定缺陷像素的总数或者缺陷像素块的尺寸，由此，能够识别出具有在短时间内其数量、尺寸变大的增长性的缺陷像素，从而能够识别不适合于X射线摄影的二维阵列X射线检测器。根据专利技术6中记载的专利技术，通过将根据在缺陷像素识别步骤中识别出的缺陷像素制作的缺陷映射表和在初始缺陷映射表制作步骤中制作的初始的缺陷映射表进行比较来进行判断，因此能够将具有在短时间内其尺寸变大的增长性的缺陷像素与其它缺陷像素相区分，从而更加准确地检测该具有增长性的缺陷像素。 根据专利技术7中记载的专利技术，通过在没有对转换膜照射X射线的状态下使开关元件依次导通来检测各像素的电荷信号，由此能够准确地测量暗电流值。根据专利技术8中记载的专利技术，在偏置电压步骤中对转换膜进行加热，因此能够缩短转换膜的电荷状态直到稳定为止的期间。因此，能够在短时间内完成偏置电压步骤。附图说明图I是应用本专利技术的X射线摄影装置的概要图。图2是平板检测器4的概要图。图3是侧视平板检测器4而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤贤治，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：发明
国别省市：