本发明专利技术是有关于一种凸块结构及制造工艺，该凸块结构，其设置于一载板上，其包含有第一高分子块体、第二高分子块体、第一沟槽、凸块下金属层及接合金属层，其中该第一高分子块体及该第二高分子块体为独立的块体，该第一高分子块体具有第一接合槽，该第二高分子块体具有第二接合槽，该凸块下金属层覆盖该第一高分子块体及该第二高分子块体，该凸块下金属层形成有第二沟槽、第三接合槽及第四接合槽，该接合金属层覆盖该凸块下金属层，且该接合金属层形成有第三沟槽、第五接合槽及第六接合槽，其中该第二沟槽位于该第一沟槽与该第三沟槽之间，该第三接合槽位于该第一接合槽与该第五接合槽之间，该第四接合槽位于该第二接合槽与该第六接合槽之间。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种凸块结构及制造エ艺，特别是涉及一种可提高共晶可靠度的凸块结构及制造エ艺。
技术介绍
现有习知的金凸块结构10形成于硅基板20上，该硅基板20具有多个焊垫21及一保护层22，该保护层22形成有多个开ロ 23，所述开ロ 23显露出所述焊垫21，该凸块结构10包含ー凸块下金属层11以及ー金凸块层12，该凸块下金属层11形成于所述焊垫21上，该 金凸块层12形成于该凸块下金属层11上，因此当该金凸块结构10与另ー电子元件的接点(如连接垫或引脚)共晶接合吋，该金凸块结构10与该接点的接触面积并不大，相对地影响了该金凸块结构10与该接点的共晶可靠度，并且在该接点被触压结合于该金凸块结构10时，该接点会有偏移的情况，而造成相邻的接点接触而产生短路的情形，此外由于该金凸块结构10由该金凸块层12所构成，因此其生产成本较高。由此可见，上述现有的凸块结构及制造エ艺在产品结构、制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一歩改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构及方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设ー种新的凸块结构及制造エ艺，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，克服现有的凸块结构存在的缺陷，而提供ー种新型结构的凸块结构，所要解决的技术问题是提供ー种凸块结构，其设置于ー载板上，该载板具有多个焊垫及一保护层，该保护层具有多个开ロ，所述开ロ显露出所述焊垫，该凸块结构与各该焊垫电性连接，该凸块结构包含有一第一高分子块体、一第二高分子块体、一第一沟槽、一凸块下金属层及ー接合金属层，其中该第一高分子块体及第ニ高分子块体分别为ー独立的块体，且该第一高分子块体及该第二高分子块体位于该第一沟槽的ニ侧，该第一沟槽显露出该焊垫，该第一高分子块体及第ニ高分子块体其设置于该焊垫及该保护层上，该第一高分子块体具有一第一上表面及一凹设于该第一上表面的第一接合槽，该第二高分子块体具有一第二上表面及一凹设于该第二上表面的第二接合槽，其中该第一高分子块体的该第一接合槽及该第二高分子块体的该第二接合槽连通该第一沟槽，该凸块下金属层(UBM)覆盖该第一高分子块体、该第二高分子块体及该焊垫，且该凸块下金属层形成有一第二沟槽、一第三接合槽及ー第四接合槽，该第三接合槽及该第四接合槽连通该第二沟槽，该接合金属层覆盖该凸块下金属层，并形成有一第三沟槽、一第五接合槽及ー第六接合槽，该第五接合槽及该第六接合槽连通该第三沟槽，其中该凸块下金属层的该第二沟槽位于该第一沟槽与该接合金属层的该第三沟槽之间，该凸块下金属层的该第三接合槽位于该第一高分子块体的该第一接合槽与该接合金属层的该第五接合槽之间，该凸块下金属层的第四接合槽位于该第二高分子块体的该第二接合槽与该接合金属层的该第六接合槽之间，非常适于实用。本专利技术的另一目的在于，克服现有的凸块制造エ艺存在的缺陷，而提供一种新的凸块结构及制造エ艺，所要解决的技术问题是提供一种凸块制造エ艺，包含下列步骤，首先，提供ー载板，其具有多个焊垫及一保护层，该保护层具有多个开ロ，所述开ロ显露出所述焊垫。之后，在该载板上形成一高分子层，该高分子层覆盖该保护层及所述焊垫。接着，提供一第一光罩并进行第一次曝光步骤。之后，移除该第一光罩并进行第一次显影步骤，以使该高分子层形成有多个高分子凸块，且每一高分子凸块对应ー焊垫，各该高分子凸块包含有一第一高分子块体、一第二高分子块体及一第一沟槽，该第一高分子块体及该第二高分子块体分别为ー独立的块体，且该第一高分子块体及该第二高分子块体位于该第一沟槽的ニ侧，该第一沟槽显露出该焊垫，且该第一高分子块体及该第二高分子块体设置于该焊垫及该保护层上，该第一高分子块体具有一第一上表面及一凹设于该第一上表面的第一接 合槽，该第二高分子块体具有一第二上表面及一凹设于该第二上表面的第二接合槽，其中该第一高分子块体的该第一接合槽及该第二高分子块体的该第二接合槽连通该第一沟槽。接着，固化所述高分子凸块。之后，在该载板上形成ー凸块下金属层(UBM)，该凸块下金属层覆盖该保护层、该焊垫、该第一高分子块体及该第二高分子块体，其中该凸块下金属层形成有一第二沟槽、一第三接合槽及ー第四接合槽，该第三接合槽及该第四接合槽连通该第二沟槽，该第二沟槽位于该第一沟槽上方，该第三接合槽位于该第一接合槽上方，该第四接合槽位于该第二接合槽上方。接着，在该凸块下金属层(UBM)上形成一光刻胶。之后，提供一第二光罩并进行第二次曝光步骤。接着，移除该第二光罩并进行第二次显影步骤，以使该光刻胶形成有多个开ロ，各该开ロ对应各该闻分子凸块，且各该开ロ并显露出位在各该开ロ中的该凸块下金属层。之后，在所述开口中形成一接合金属层，该接合金属层覆盖被所述开ロ显露的该凸块下金属层，其中该接合金属层形成有一第三沟槽、一第五接合槽及ー第六接合槽，该第五接合槽及该第六接合槽连通该第三沟槽，该第三沟槽位于该第二沟槽上方，该第五接合槽位于该第三接合槽上方，该第六接合槽位于该第四接合槽上方。接着，移除该光刻胶，以显露未被该接合金属层覆盖的该凸块下金属层。最后，移除未被该接合金属层覆盖的该凸块下金属层，以使该凸块下金属层仅覆盖该焊垫、该第一高分子块体及该第二高分子块体，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的凸块结构，其设置于ー载板上，该载板具有多个焊垫及一保护层，该保护层具有多个开ロ，所述开ロ显露出所述焊垫，该凸块结构与各该焊垫电性连接，该凸块结构包含有一第一高分子块体，为ー独立的块体，其设置于该焊垫及该保护层上，该第一高分子块体具有一第一上表面及一凹设于该第一上表面的第一接合槽；一第二高分子块体，为ー独立的块体，其设置于该焊垫及该保护层上，该第二高分子块体具有一第二上表面及一凹设于该第二上表面的第二接合槽；一第一沟槽，其位于该第一高分子块体及该第二高分子块体之间，该第一沟槽显露出该焊垫，该第一高分子块体的该第一接合槽及该第二高分子块体的该第二接合槽连通该第一沟槽；ー凸块下金属层(UBM)，其覆盖该焊垫、该第一高分子块体及该第二高分子块体，其中该凸块下金属层形成有一第二沟槽、一第三接合槽及ー第四接合槽；以及一接合金属层，其覆盖该凸块下金属层，并形成有一第三沟槽、一第五接合槽及ー第六接合槽，该第五接合槽及该第六接合槽连通该第三沟槽，其中该凸块下金属层的该第二沟槽位于该第一沟槽与该接合金属层的该第三沟槽之间，该凸块下金属层的该第三接合槽位于该第一高分子块体的该第一接合槽与该接合金属层的该第五接合槽之间，该凸块下金属层的第四接合槽位于该第二高分子块体的该第二接合槽与该接合金属层的该第六接合槽之间。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进ー步实现。前述的凸块结构，其中所述的该第三沟槽、该第五接合槽及该第六接合槽为“ + ”状。前述的凸块结构，其中所述的该第三沟槽具有一第一宽度，该第五接合槽具有一第二宽度，该第一宽度大于该第二宽度。 前述的凸块结构，其中所述的该第六接合槽具有一第三宽度，该第一宽度大于该第三宽度。本专利技术的目的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种凸块结构，其特征在于其设置于一载板上，该载板具有多个焊垫及一保护层，该保护层具有多个开口，所述开口显露出所述焊垫，该凸块结构与各该焊垫电性连接，该凸块结构包含有：一第一高分子块体，为一独立的块体，其设置于该焊垫及该保护层上，该第一高分子块体具有一第一上表面及一凹设于该第一上表面的第一接合槽；一第二高分子块体，为一独立的块体，其设置于该焊垫及该保护层上，该第二高分子块体具有一第二上表面及一凹设于该第二上表面的第二接合槽；一第一沟槽，其位于该第一高分子块体及该第二高分子块体之间，该第一沟槽显露出该焊垫，该第一高分子块体的该第一接合槽及该第二高分子块体的该第二接合槽连通该第一沟槽；一凸块下金属层，其覆盖该焊垫、该第一高分子块体及该第二高分子块体，其中该凸块下金属层形成有一第二沟槽、一第三接合槽及一第四接合槽；以及一接合金属层，其覆盖该凸块下金属层，并形成有一第三沟槽、一第五接合槽及一第六接合槽，该第五接合槽及该第六接合槽连通该第三沟槽，其中该凸块下金属层的该第二沟槽位于该第一沟槽与该接合金属层的该第三沟槽之间，该凸块下金属层的该第三接合槽位于该第一高分子块体的该第一接合槽与该接合金属层的该第五接合槽之间，该凸块下金属层的第四接合槽位于该第二高分子块体的该第二接合槽与该接合金属层的该第六接合槽之间。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：施政宏，郭士祯，陈文童，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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