【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种方法，该方法包括：a)提供一种包括正面，背面和PN结的半导体，所述正面包括具有底层的导电轨图案，所述背面包括金属接触件；b)使半导体与单价镀铜组合物接触；以及c)在导电轨的底层上镀覆铜层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·哈姆，J·A·里斯，魏凌云，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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