一种用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液制造技术

本发明专利技术公开了一种用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液，由盐基胶体钯和添加剂复配而成；所述盐基胶体钯是由钯盐、含锡化合物以及氯化钠复配得到。本发明专利技术可以缩短后续工艺化学镀铜的诱发时间、完全镀覆时间，提高铜层的背光级数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及印制电路板活化液
，具体为一种用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液。
技术介绍
近年来，由于计算机和通讯等高科技产业的迅猛发展，为印刷线路板化学镀铜提高了广阔的空间。印制线路板制造中最关键的一道工序就是孔金属化工艺工程，因为PCB基材是非金属绝缘体，孔金属化需要经过清洗、预浸、活化、化学镀铜及电镀铜加厚处理。其中活化过程又是孔金属化制程中很重要的一环。因此孔金属化是印制线路板制造过程的核心。孔内非金属表面由于缺少催化活性中心,无法直接化学镀,所以必须进行活化处理。活化就是在非金属基底上均匀牢固地吸附一定量具有催化活性的粒子,以诱发随后的化学镀。活化的好坏将决定化学镀的镀速和镀层质量，也是PCB化学镀领域研究焦点之一。
技术实现思路
本专利技术所解决的技术问题在于提供一种用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液，从而解决上述
技术介绍
中的问题。本专利技术所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液，由盐基胶体钯和添加剂复配而成；所述盐基胶体钯是由钯盐、含锡化合物以及氯化钠复配得到。本专利技术中，作为一种优选的技术方案，所述钯盐采用氯化钯，所述含锡化合物采用氯化亚锡。本专利技术中，作为一种优选的技术方案，所述氯化钯、氯化亚锡以及氯化钠的摩尔比例：1:50:210。本专利技术中，作为一种优选的技术方案，所述添加剂包括阴离子表面活性剂，所述阴离子表面活性剂包括十二烷基苯磺酸钠、烷基磺酸、木质素磺酸钠中的一种，优选十二烷基苯磺酸钠。采用一种或一种以上的表面活性剂进行复配，可以提高印制电路板化学沉铜的低质量浓度胶体钯活化液的分散性和活化性，适用于微孔金属化。本专利技术中，作为一种优选的技术方案，所述活化液中钯的浓度在0.06g/L～0.6g/L，优选0.6g/L～0.1g/L。本专利技术中，作为一种优选的技术方案，所述添加剂的浓度控制在：3.0g/L～5g/L。本专利技术中，作为一种优选的技术方案，所述添加剂还包括含醛基的有机物，含醛基的有机物的浓度控制在:0.5g/L～1.0g/L。含醛基的有机物包括萘磺酸钠甲醛。含醛基的有机物可以提高印制电路板化学沉铜的低质量浓度胶体钯活化液的稳定性，起保护作用，延长使用寿命。本专利技术中，作为一种优选的技术方案，本专利技术提供的用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液采用如下步骤制备：(1)按配方称取相应的氯化钯溶于浓盐酸中，在60℃下超声溶解充分，将氯化亚锡溶液加入到氯化钯溶液中，迅速发生化学反应，并生成黑色钯粒，歧化反应发生后及时补加氯化亚锡溶液到以上混合溶液中，在60℃下超声条件下反应8分钟可形成细小胶体钯颗粒，钯颗粒越小，活性越高；(2)按配方称取相应阴离子表面活性剂溶于蒸馏水中，搅拌至充分溶解，在充分溶解的表面活性剂溶液中加入配方所需量的含醛基的有机物，搅拌至溶解充分；(3)在60℃下超声条件下，缓慢将步骤(1)得到的胶体钯溶液分散在步骤(2)得到的溶液中，混合得到酸性盐基胶体钯；(4)将混合好的酸性盐基胶体钯放入数显恒温水浴温度50～100℃中熟化3～5h。本专利技术中，作为一种优选的技术方案，所述的印制电路板化学沉铜的低质量浓度胶体钯活化液，所述的活化液的熟化温度控制90℃～100℃。由于采用了以上技术方案，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液，通过活化液的有效成分在PCB孔非金属表面形成催化活化中心，诱发化学镀，使非金属孔表面镀上一层铜层。在使用本专利技术的印制电路板化学沉铜的低质量浓度胶体钯活化液时，使用喷涂法或者浸渍法形成催化活化中心，优选浸渍法。对于被处理的PCB非金属基材对象主要以不同尺寸大小的孔。通过使用本专利技术的低质量浓度PCB水平沉铜胶体钯活化液后，可以缩短后续工艺化学镀铜的诱发时间、完全镀覆时间，提高铜层的背光级数。本专利技术采用的印制电路板化学沉铜的低质量浓度胶体钯活化液主要成分由氯化钯、氯化亚锡以及氯化钠在酸性条件下复配得到微钯颗粒，通过吸附作用Pd吸附在非金属表面，形成催化活化中心。本专利技术通过水平沉铜工艺得到镀覆铜层的PCB非金属基材，通过切片打磨，测得其背光级数在8.5以上。具体实施方式为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本专利技术。一种印制电路板化学沉铜的低质量浓度胶体钯活化液，采用如下制备方法：(1)按配方称取相应的氯化钯溶于浓盐酸中，在60℃下超声溶解充分，将氯化亚锡溶液加入到氯化钯溶液中，迅速发生化学反应，并生成黑色钯粒，歧化反应发生后及时补加氯化亚锡溶液到以上混合溶液中，在60℃下超声条件下反应8分钟可形成细小胶体钯颗粒，钯颗粒越小，活性越高；(2)按配方称取相应阴离子表面活性剂溶于蒸馏水中，搅拌至充分溶解，在充分溶解的表面活性剂溶液中加入配方所需量的含醛基的有机物，搅拌至溶解充分；(3)在60℃下超声条件下，缓慢将步骤(1)得到的胶体钯溶液分散在步骤(2)得到的溶液中，混合得到酸性盐基胶体钯；(4)将混合好的酸性盐基胶体钯放入数显恒温水浴温度50～100℃中熟化3～5h。按照表1的组分制备实施例1-实施例11以及对比例1-对比例4。其中，实施例1、5、6、8所采用的熟化温度为50℃下熟化3小时，实施例2采用90℃下熟化4小时，实施例10在100℃下熟化4小时，实施例3、4、7、9、11在65℃下熟化5小时。对比例1-4的熟化温度均为90℃下4小时。利用上述实施例得到的活化液在非金属基板上获得铜层通过如下方法得到。酸洗除表面杂质(5％H2SO4、常温、2分钟)→水洗(常温、1分钟)→膨松(HP3303、80℃、8分钟)→两级水洗(常温、1分钟)→除胶渣(MLB213、80℃、13分钟)→三级水洗(常温、1分钟)→中和(MLB3313、50℃、5分钟)→二级水洗(常温、1分钟)→微蚀(过硫酸钾0.37moL/L、50％H2SO440mL、30℃、2分钟)→二级水洗(常温、1分钟)→预浸(Cataprep404、30℃、2分钟)→催化活化(氯化钯0.18g/L、氯化亚锡11.13g/L、浓盐酸65mL、氯化钠12.5g/L、木质素磺酸钠5g/L、有机醛1.0g/L)→二级水洗(常温、1分钟)→化学铜(300R16mL/L、365C45mL/L、365S3.5mL/L、365B8.55mL/L、45℃、5分钟)→水洗(常温、1分钟)→烘干。使用该胶体钯活化液对PCB树脂板进行镀铜，记录诱导时间和完全镀覆时间。诱导时间和完全镀覆时间直接反应低印制电路板化学沉铜的低质量浓度胶体钯活化液的活化性能。对每个实施例的镀铜基板进行切片研磨后，进行背光级数测定。背光级数的测定结果直接反应印制电路板化学沉铜的低质量浓度胶体钯活化液的分散性能。背光级数测试设备：贝朗体视显微镜S/ST。背光级数标准：连续3次背光级数>8.5。附着力的检验:百格试验参照GB/T9286-1998《百格试验》,如图用划刀在锻铜层表面划出1mmX1mm的100个小方格,最后用3M胶带粘贴,停留2分钟后与被测工件成90°角迅速扯下胶带,计算未鼓泡或未被撕拉掉的小方格子数所占总的小方格子数的百分数,以此百分数作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液，其特征在于：由盐基胶体钯和添加剂复配而成；所述盐基胶体钯是由钯盐、含锡化合物以及氯化钠复配得到。

【技术特征摘要】
1.一种用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液，其特征在于：由盐基胶体钯和添加剂复配而成；所述盐基胶体钯是由钯盐、含锡化合物以及氯化钠复配得到。2.根据权利要求1所述的一种用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液，其特征在于：所述钯盐采用氯化钯，所述含锡化合物采用氯化亚锡。3.根据权利要求2所述的一种用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液，其特征在于：所述氯化钯、氯化亚锡以及氯化钠的摩尔比例：1:50:210。4.根据权利要求1所述的一种用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液，其特征在于：所述添加剂包括阴离子表面活性剂，所述阴离子表面活性剂包括十二烷基苯磺酸钠、烷基磺酸、木质素磺酸钠中的一种。5.根据权利要求4所述的一种用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液，其特征在于：所述阴离子表面活性剂采用十二烷基苯磺酸钠。6.根据权利要求1所述的一种用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液，其特征在于：所述活化液中钯的浓度在0.06g/L~0.6g/L，优选0.6g/L~0.1g/L。7.根据权利要求6所述的一种用于印制电路板化学沉铜的低浓度胶体钯活化液，其特征在于：所述添加剂的浓度控制在...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴道新，吴蓉，肖忠良，李丹，张文静，熊恒，樊谨菘，许国军，
申请(专利权)人：长沙理工大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43