太阳能电池设备及其制造方法技术

技术编号:7978635 阅读:172 留言:0更新日期:2012-11-16 06:02
公开一种太阳能电池设备及其制造方法。所述太阳能电池设备包括:衬底,包括电池区域和围绕所述电池区域的外围区域;在所述电池区域中的电池;以及连接电极,与所述电池连接并且被设置在所述外围区域中。所述电池包括:在所述衬底上的后电极;在所述后电极上的光吸收部;以及在所述光吸收部上的前电极。所述连接电极从所述后电极延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
一种制造用于发电的太阳能电池的方法如下。在已经制备衬底之后,后电极层形成在该衬底上并被激光图案化,从而形成多个后电极。之后,在后电极上顺序地形成光吸收层、缓冲层和高阻缓冲层。光吸收层可以通过各种方法形成,诸如通过同时或单独蒸发Cu、In、Ga和Se形成基于Cu (In, Ga) Se2 (CIGS) 的光吸收层的方法,以及在形成金属前驱膜之后执行硒化过程的方法。光吸收层的能带隙在约IeV至约I. 8eV的范围内。之后,通过溅射过程在光吸收层上形成包括硫化镉CdS缓冲层。缓冲层的能带隙在约2. 2eV至约2. 4eV的范围内。之后,通过溅射过程在缓冲层上形成包括ZnO的高阻缓冲层。高阻缓冲层的能带隙在约3. IeV至约3. 3eV的范围内。之后,可以在光吸收层、缓冲层和高阻缓冲层中形成凹槽图案。之后,在高阻缓冲层上层叠透明导电材料,并且用透明导电材料填充凹槽图案。因此,在高阻缓冲层上形成透明电极层之后,在凹槽图案中形成连接线。构成透明电极层和连接线的材料可以包括掺杂铝的氧化锌。透明电极层的能带隙在约3. IeV至约3. 3eV的范围内。之后,在透明电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:白程值
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司
类型:发明
国别省市:

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