本发明专利技术提供一种场发射电子器件，包括：一绝缘基底具有一表面；多个行电极引线与多个列电极引线分别平行且间隔设置于所述绝缘基底的表面，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置定义多个交叉处，所述行电极引线与列电极引线在交叉处电绝缘设置；以及多个电子发射单元设置于绝缘基底表面，且每个电子发射单元对应设置于一个交叉处，其中，所述每个电子发射单元进一步包括：一第二电极与所述列电极引线电连接；一第一电极与该第二电极间隔设置且至少部分环绕所述第二电极设置，该第一电极与所述行电极引线电连接；以及多个电子发射体设置于所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极的远离绝缘基底的表面。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种场发射电子器件，尤其涉及一种平面型场发射电子器件。
技术介绍
场发射电子器件在低温或者室温下工作，与热电子发射器件相比具有功耗低、响应速度快以及低放气等优点。场发射电子器件在场发射显示装置中具有广泛的应用。现有技术中的场发射显示装置包括一绝缘基底、多个像素单元、以及多个行电极引线与多个列电极引线。其中，所述多个行电极引线与多个列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底表面。所述多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，且每两个相邻的行电极引线与两个相邻的列电极引线形成一网格。所述多个像素单元按照预定规律排列，间隔设置于上述网格中，且每个网格中设置一个像素单元。所述像素单元包括一阴极电极，一设置于该阴极电极表面的电子发射体，一与该阴极电极间隔设置的阳极电极，以及一 设置于该阳极电极表面的荧光粉层。当在该阴极电极与阳极电极之间施加一电压，电子发射体发射电子，以轰击荧光粉层发光。然而，上述场发射显示装置中，由于每个象素单元仅包括一个阴极电极和一个阳极电极间隔设置，所以该场发射显示装置的电子发射效率较低，从而使得场发射显示装置亮度较差。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供一种电子发射效率较高的场发射电子器件。—种场发射电子器件，包括一绝缘基底具有一表面；多个行电极引线与多个列电极引线分别平行且间隔设置于所述绝缘基底的表面，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置定义多个交叉处，所述行电极引线与列电极引线在交叉处电绝缘设置；以及多个电子发射单元设置于绝缘基底表面，且每个电子发射单元对应设置于一个交叉处，其中，所述每个电子发射单元进一步包括一第二电极与所述列电极引线电连接；一第一电极与该第二电极间隔设置且至少部分环绕所述第二电极设置，该第一电极与所述行电极引线电连接；以及多个电子发射体设置于所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极的远离绝缘基底的表面。相较于现有技术，所述场发射电子器件的一电极至少部分环绕另一电极设置，且多个电子发射体设置于至少一个电极的表面，从而使得场发射显示装置具有较高场发射电流，且采用该场发射电子器件的场发射显示装置具有较高的亮度。附图说明图I为本专利技术第一实施例提供的场发射显示装置的俯视示意图。图2为图I所示的场发射显示装置沿线II-II的剖面示意图。图3为本专利技术第二实施例提供的场发射显示装置的结构示意图。图4为本专利技术第三实施例提供的场发射显示装置的俯视示意图。图5为图4所示的场发射显示装置沿线V-V的剖面示意图。图6为本专利技术第四实施例提供的场发射显示装置的结构示意图。图7为本专利技术第五实施例提供的场发射显示装置的俯视示意图。图8为图7所示的场发射显示装置沿线VIII-VIII的剖面示意图。图9为本专利技术第六实施例提供的场发射显示装置的剖面示意图。主要元件符号说明权利要求1.一种场发射电子器件,包括 ー绝缘基底具有一表面； 多个行电极引线与多个列电极引线分别平行且间隔设置于所述绝缘基底的表面，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置定义多个交叉处，所述行电极引线与列电极引线在交叉处电绝缘设置；以及 多个电子发射单元设置于绝缘基底表面，且每个电子发射単元对应设置于ー个交叉处， 其特征在于，所述每个电子发射単元进ー步包括 一第二电极与所述列电极引线电连接； 一第一电极与该第二电极间隔设置且至少部分环绕所述第二电极设置，该第一电极与所述行电极引线电连接；以及 多个电子发射体设置于所述第一电极和所述第二电极中的至少ー个电极的远离绝缘基底的表面。2.如权利要求I所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体的一端与第一电极电连接，另一端与第二电极间隔设置且向第二电极延伸，所述电子发射体环绕所述第二电极设置。3.如权利要求I所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体的一端与第二电极电连接，另一端与第一电极间隔设置且向第一电极延伸。4.如权利要求I所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体分别设置于所述第一电极和所述第二电极的表面且相对设置，相対的电子发射体之间存在间隙。5.如权利要求4所述的场发射电子器件，其特征在于，所述场发射电子器件工作吋，向多个行电极引线和多个列电极引线接入交流电压。6.如权利要求I所述的场发射电子器件，其特征在于，所述第一电极与所述列电极引线电绝缘，所述第二电极与所述行电极引线电绝缘。7.如权利要求I所述的场发射电子器件，其特征在于，所述第一电极与所述行电极引线为一体成型结构，所述第二电极与所述列电极引线为一体成型结构。8.如权利要求I所述的场发射电子器件，其特征在于，所述电子发射体选自硅线、碳纳米管、碳纤维及碳纳米管线中的ー种或多种。9.如权利要求I所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体与所述绝缘基底间隔设置，且沿着平行于绝缘基底表面的方向延伸。10.如权利要求I所述的场发射电子器件，其特征在干，进ー步包括一第三电极与所述绝缘基底平行且间隔设置。11.如权利要求I所述的场发射电子器件，其特征在于，所述第一电极为框形，且全部环绕所述第二电极设置。12.如权利要求2所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体平行排列，每ー电子发射体的一端与第一电极电连接，另一端指向第二电极的表面，作为电子发射端。13.如权利要求12所述的场发射电子器件，其特征在干，进ー步包括ー荧光粉层，设置于所述第二电极远离绝缘基底的表面。14.如权利要求13所述的场发射电子器件，其特征在于，所述每ー电子发射体的电子发射端悬空设置于荧光粉层的上方。15.如权利要求13所述的场发射电子器件，其特征在于，所述每ー电子发射体的电子发射端与第二电极之间的距离为10微米飞00微米。16.如权利要求I所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体通过第一电极或第二电极与绝缘基底间隔一定距离设置。17.如权利要求I所述的场发射电子器件，其特征在于，所述多个电子发射体设置在同一平面。全文摘要本专利技术提供一种场发射电子器件，包括一绝缘基底具有一表面；多个行电极引线与多个列电极引线分别平行且间隔设置于所述绝缘基底的表面，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置定义多个交叉处，所述行电极引线与列电极引线在交叉处电绝缘设置；以及多个电子发射单元设置于绝缘基底表面，且每个电子发射单元对应设置于一个交叉处，其中，所述每个电子发射单元进一步包括一第二电极与所述列电极引线电连接；一第一电极与该第二电极间隔设置且至少部分环绕所述第二电极设置，该第一电极与所述行电极引线电连接；以及多个电子发射体设置于所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极的远离绝缘基底的表面。文档编号H01J31/12GK102768930SQ20121022452公开日2012年11月7日 申请日期2010年12月29日 优先权日2010年12月29日专利技术者柳鹏, 范守善 申请人:清华大学, 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种场发射电子器件，包括：一绝缘基底具有一表面；多个行电极引线与多个列电极引线分别平行且间隔设置于所述绝缘基底的表面，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置定义多个交叉处，所述行电极引线与列电极引线在交叉处电绝缘设置；以及多个电子发射单元设置于绝缘基底表面，且每个电子发射单元对应设置于一个交叉处，其特征在于，所述每个电子发射单元进一步包括：一第二电极与所述列电极引线电连接；一第一电极与该第二电极间隔设置且至少部分环绕所述第二电极设置，该第一电极与所述行电极引线电连接；以及多个电子发射体设置于所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极的远离绝缘基底的表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：柳鹏，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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