一种电子装置及其制法，该电子装置包括：光电二极管层，具有相对的第一与第二表面；配线层，设于该光电二极管层的第一表面上；电性接触垫，设于该配线层上；钝化层，设于该配线层与电性接触垫上；抗反射层，设于该光电二极管层的第二表面上；彩色滤光层，设于该抗反射层上；介电层，设于该抗反射层与彩色滤光层上；以及微透镜层，设于该介电层上，该彩色滤光层、介电层与微透镜层所布设区域为作用区，且该电性接触垫位于该作用区内。本发明专利技术的电子装置将电性接触垫置于作用区内，因而可省去非作用区的基材面积。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关一种电子装置及其制法，尤指一种基材面积较小的电子装置及其制法。
技术介绍
随着科技的发展，电子产品的日新月异，半导体技术的使用也愈来愈普遍，现在几乎所有电子装置的内部都包含许多电子组件或半导体芯片。一般电子组件或半导体芯片是在硅基板上形成多层的介电层与金属层以构成能处理电子讯号的集成电路(integrated circuit,简称IC)。而近年来蓬勃发展的互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor,简称CMOS)影像传感器即是以标准半导体制程为基础而构建的电子装置，其普遍使用于数码相机或移动电话的摄影模 块中。请参阅图1，为现有技术中例如为CMOS影像传感器的电子装置的剖视图。如图所不，现有的电子装置包括承载板10,具有相对的第一表面IOa与第二表面IOb ;第一电性接触垫11，设于该第一表面IOa上；配线层12,设于该第一表面IOa与第一电性接触垫11上，且该配线层12电性连接该第一电性接触垫11 ;硅层13，设于该配线层12上；彩色滤光层14,设于该娃层13上；微透镜层15,设于该彩色滤光层14上,令该彩色滤光层14与微透镜层15所布设区域为作用区A，而该作用区A以外的区域为非作用区B，且该第一电性接触垫11位于该作用区A外；第二电性接触垫16,设于该第二表面IOb上；玻璃层17,设于该第二表面IOb上、且具有外露该第二电性接触垫16的开孔170 ;以及导电通孔18，穿设于该承载板10中、且电性连接该第一电性接触垫11与第二电性接触垫16。但是，由于现有技术中的电子装置的第一电性接触垫设于电子装置的作用区外，因而使得整体电子装置占用较大的基材(包括承载板、配线层、与硅层等)面积、并具有较大的电子装置体积，亦即现有的电子装置的第一电性接触垫造成基材面积的增加与浪费，进而不利于电子产品的轻薄化。因此，如何避免现有技术中的电子装置占用较多基材面积、以及较难以微小化等问题，实已成为目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的种种缺失，本专利技术的主要目的是提供一种基材面积较小的电子装置及其制法，以解决现有技术中的电子装置占用较多基材面积、以及较难以微小化等问题。为达上述及其它目的，本专利技术揭露一种电子装置，包括光电二极管层，具有相对的第一与第二表面；配线层，设于该光电二极管层的第一表面上，该配线层包括堆栈的多个配线，该配线层邻近该光电二极管层处具有多个转换闸；电性接触垫，设于该配线层上，该配线电性连接该电性接触垫；钝化层，设于该配线层与电性接触垫上；抗反射层，设于该光电二极管层的第二表面上；彩色滤光层，设于该抗反射层上；介电层，设于该抗反射层与彩色滤光层上；以及微透镜层，设于该介电层上，该彩色滤光层、介电层与微透镜层所布设区域为作用区，且该电性接触垫位于该作用区内。于上述的电子装置中，该电性接触垫可嵌埋于配线层并显露于该配线层的表面，或者该电性接触垫可为柱状，并贯通该钝化层。前述的电子装置中，该光电二极管层的材质可为非晶硅，且该钝化层的材料可为氧化硅、磊晶硅、与聚酰亚胺。前述的电子装置中，还可包括承载板，设于该钝化层上。 本专利技术还提供一种电子装置的制法，包括提供一硅基板；于该硅基板上形成光电二极管层；于该光电二极管层上形成配线层，该配线层包括堆栈的多个配线，该配线层邻近该光电二极管层处具有多个转换闸；于该配线层上形成电性接触垫，该配线电性连接该电性接触垫；于该配线层与电性接触垫上形成钝化层；于该钝化层上附接承载板；移除硅基板；于该光电二极管层上形成抗反射层；于该抗反射层上形成彩色滤光层；于该抗反射层与彩色滤光层上形成介电层；以及于该介电层上形成微透镜层，该彩色滤光层、介电层与微透镜层所布设区域为作用区，且该电性接触垫位于该作用区内。依上所述的电子装置的制法，该电性接触垫可嵌埋于配线层并显露于该配线层的表面，或者该电性接触垫可为柱状，并贯通该钝化层。于上述的电子装置的制法中，该光电二极管层的材质可为非晶硅，且该钝化层的材料可为氧化硅、磊晶硅、与聚酰亚胺。所述的电子装置的制法中，还可包括于形成该钝化层后对该钝化层进行平坦化制程。由上可知，本专利技术的电子装置将电性接触垫置于作用区内，因而可省去非作用区的基材面积，并能缩减整体电子装置的体积，进而有利于电子产品的微型化；再者，本专利技术的电性接触垫可为导电柱，因而在电子装置的结构设计上将具有较佳的弹性。附图说明图I为现有技术中的例如为CMOS影像传感器的电子装置的剖视图。图2A至2G为本专利技术的电子装置及其制法的剖视示意图，其中，图2G’与2G”为图2G的其它实施方式。图3A至3C为现有技术与本专利技术的电子装置的基材面积的比较示意图，其中，图3A为现有的电子装置的基材面积的平面图，图3B为本专利技术的电子装置的基材面积的平面图，图3C为本专利技术所节省的基材面积的平面图。主要元件符号说明10、30 承载板10a、21a 第一表面10b、21b 第二表面11第一电性接触垫12配线层13硅层14彩色滤光层15微透镜层16第二电性接触垫17玻璃层170开孔18导电通孔20硅基板21光电二极管层 22配线层221配线222转换闸23、23’电性接触垫24钝化层25抗反射层26彩色滤光层27介电层28微透镜层5面积差A作用区B非作用区。具体实施例方式以下藉由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点及功效。请参阅图2A至2G，为本专利技术的电子装置及其制法的剖视示意图，其中，图2G’与2G”为图2G的其它实施方式。如图2A所示，提供一硅基板20。如图2B所示，于该硅基板20上形成光电二极管层21，该光电二极管层21的材质可为非晶娃(amorphous silicon)。如图2C所示，于该光电二极管层21上形成配线层22，该配线层22包括堆栈的多个配线221，该配线层22邻近该光电二极管层21处具有多个转换闸(transfer gate) 222,且于该配线层22上形成电性接触垫23，该配线221电性连接该电性接触垫23。如图2D所示，于该配线层22与电性接触垫23上形成钝化层24，该钝化层24的材料可为氧化娃、嘉晶娃(epitaxial silicon)、与聚酰亚胺(polyimide),且还可于形成该钝化层24后对该钝化层24进行平坦化制程。如图2E所示，于该钝化层24上附接承载板30。如图2F所示，移除硅基板20，并于该光电二极管层21上形成抗反射层25。如图2G所示，于该抗反射层25上形成彩色滤光层26，并于该抗反射层25与彩色滤光层26上形成介电层27,且于该介电层27上形成微透镜层28,该彩色滤光层26、介电层27与微透镜层28所布设区域为作用区A，而该作用区A以外的区域为非作用区B，且该电性接触垫23位于该作用区A内。如图2G’所示，为图2G的另一实施方法，其中，该电性接触垫23嵌埋于配线层22并显露于该配线层22的表面。如图2G”所示，为图2G的又一实施方式，其中，该电性接触垫23’为柱(pillar)状，并贯通该钝化层24。本专利技术还提供一种电子装置，包括光电二极管层21，具有相对的第一与第二表面21a，21b ;配线层22，设于该光电二本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子装置，其特征在于，包括：光电二极管层，具有相对的第一与第二表面；配线层，设于该光电二极管层的第一表面上，该配线层包括堆栈的多个配线，该配线层邻近该光电二极管层处具有多个转换闸；电性接触垫，设于该配线层上，该配线电性连接该电性接触垫；钝化层，设于该配线层与电性接触垫上；抗反射层，设于该光电二极管层的第二表面上；彩色滤光层，设于该抗反射层上；介电层，设于该抗反射层与彩色滤光层上；以及微透镜层，设于该介电层上，该彩色滤光层、介电层与微透镜层所布设区域为作用区，且该电性接触垫位于该作用区内。
【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括 光电ニ极管层，具有相対的第一与第二表面； 配线层，设于该光电ニ极管层的第一表面上，该配线层包括堆栈的多个配线，该配线层邻近该光电ニ极管层处具有多个转换闸； 电性接触垫，设于该配线层上，该配线电性连接该电性接触垫； 钝化层，设于该配线层与电性接触垫上； 抗反射层，设于该光电ニ极管层的第二表面上； 彩色滤光层，设于该抗反射层上； 介电层，设于该抗反射层与彩色滤光层上；以及 微透镜层，设于该介电层上，该彩色滤光层、介电层与微透镜层所布设区域为作用区，且该电性接触垫位于该作用区内。2.如权利要求I所述的电子装置，其特征在于，该电性接触垫嵌埋于配线层并显露于该配线层的表面。3.如权利要求I所述的电子装置，其特征在干，该光电ニ极管层的材质为非晶硅。4.如权利要求I所述的电子装置，其特征在干，该电性接触垫为柱状，并贯通该钝化层。5.如权利要求I所述的电子装置，其特征在于，该钝化层的材料为氧化硅、磊晶硅、与聚酰亚胺。6.如权利要求I所述的电子装置，其特征在于，还包括承载板，设于该钝化层上。7.一种电子装置的制法，其特征在于，包括 提...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾子章，胡迪群，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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