【技术实现步骤摘要】
一种阴离子表面活性剂介孔二氧化硅纳米管的生产工艺本专利技术涉及一种先进纳米材料
,具体是一种阴离子表面活性剂介孔二氧化硅纳米管的生产工艺。硅纳米管由于兼有纳米线材料和纳米管材料的特性,因此在微观应用,纳米电子器械有重要的应用价值。而介孔二氧化硅管因为具有大的比表面积和孔体积、可调的孔结构、可调的孔径、可以修饰的表面性质以及可 以控制的相貌等等,因此在微观研究,纳米器件、药物负载、气体存储和催化领域有非常大的应用潜力。目前,用软模板可以制备出管径从300nm到3 y m的中空的硅管,而非介孔硅管。用阳离子表面活性剂,十六烷基伯铵(CTAB)为模板可以制备出中空硅纳米线,但形貌不均匀,结构不可控;用胆固醇衍生物为模板可以制备出中空的硅管,但杂质多,外形不均一,管壁上无介孔;用手型的有机分子为模板可以合成外形较均一的管状材料,其外形结构是有螺旋外貌的氧化硅纳米管,但是管壁上不存在介孔。到目前为止,报道的介孔管状材料中,介孔都是平行于管径或者环绕管轴向排列的,这些具有管状形貌的中空的纤维或管的形貌都不均一,常掺杂许多杂质。总之,用简单的模板合成介孔孔径分布窄,形貌均匀单一的具有良好外型的介孔二氧化硅纳米管仍然具有一定难度。本专利技术以有机硅烷为氧化硅源,首次尝试采用阴离子表面活性剂作为模板剂,在酸的存在下制备介孔二氧化硅纳米管。本专利技术生产方法简单,原料易得,成本低,反应时间短,适于放大生产。本专利技术制备的介孔二氧化硅纳米管具有直径均匀,管的内壁和外壁光滑,管壁杂质少的特性。本专利技术是通过以下技术方案实现的本专利技术所涉及的介孔二氧化硅纳米管生产工艺,包 ...
【技术保护点】
本专利技术是一种阴离子表面活性剂介孔二氧化硅纳米管的生产工艺,本专利技术制备的介孔二氧化硅纳米管具有直径均匀,管的内壁和外壁光滑,管壁杂质少的特性,其介孔二氧化硅纳米管直径为40?60nm。
【技术特征摘要】
1.本发明是一种阴离子表面活性剂介孔二氧化硅纳米管的生产工艺,本发明制备的介孔二氧化硅纳米管具有直径均匀,管的内壁和外壁光滑,管壁杂质少的特性,其介孔二氧化硅纳米管直径为40-60nm。2.根据权利要求I所述的一种阴离子表面活性剂介孔二氧化硅纳米管的生产工艺,包括如下步骤 步骤一,称取适量十六烷基甲硫氨酸溶于一定体积去离子水中配成溶液; 步骤二,向步骤一所得的溶液中加入一定体积0. lmol/L的氢氧化钠溶液,搅拌并将溶液加热到一定温度; 步骤三,向步骤二所得的溶液中加入一定体积0. lmol/L的无机酸,搅拌均匀; 步骤四,向步骤三所得的溶液中加入一定体积的N-三甲基硅烷和正硅酸乙酯,搅拌均勻,反应一定时间; 步骤五,将步骤四所得产物离心分离,恒温干燥一定时间; 步骤六,将步骤五所得的产物移入马弗炉中,并在一定温度下煅烧一定时间即得介孔二氧化硅纳米管。3.根据权利要求2所述的一种阴离子表面活性剂介孔二氧化硅纳米管的生产工艺,其特征在于步骤一中,十六烷基甲硫氨酸质量为0. 3-0. 5g,去离子水的体积为20m...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈杰,
申请(专利权)人:昆山智集材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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