制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置，包括：进气系统、热蒸发炉、等离子体发生装置、硒化炉和出气系统；所述热蒸发炉的腔体安装有第一石英管，所述等离子体发生装置的腔体安装有第二石英管，所述硒化炉的腔体安装有第三石英管，所述进气系统、所述第一石英管、所述第二石英管、所述第三石英管和所述出气系统顺次连通。因此，可以分别精确控制等离子体气源和硒化的参数，实现了高质量CIGS薄膜材料的低温生长，还具有硒化装置结构设计简单、易清洗、安全以及最终得到的CIGS薄膜的均匀性好的优点，因此适用于CIGS薄膜太阳能电池的工业化大规模生产。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于太阳能发电
，具体涉及ー种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置。
技术介绍
CIGS薄膜太阳能电池，是由铜、铟、镓、硒四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电池，是组成电池板的关键技木。由于该产品具有光吸收能力強、发电稳定性好、转化效率高、白天发电时间长、发电量高、生产成本低以及能源回收周期短等诸多优势，CIGS薄膜太阳能电池具有广阔的应用前景。CIGS薄膜太阳能电池是以CIGS薄膜为光吸收层的ー类薄膜电池。在CIGS薄膜的制备方式及装置中，主要包括以下几类共蒸发制程、溅射制程、非真空涂布制程或电镀制程。其中，共蒸发制程具有大面积产业化时薄膜均匀性差的缺陷；而溅射制程、非真空涂布 制程或电镀制程均需经过硒化处理，因此，这三类装置具有结构复杂且难以大規模エ业化生产的缺陷。エ业界较为流行的为等离子体协助硒化装置，该装置可有效提高反应气体活性、降低反应温度并有效缩短反应时间，例如文献Journal of Electronic materials,Vol. 37No. 5,2008,755-759 及 Journal of Electrochemical Societ本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备铜铟镓硒薄膜的等离子体协助硒化装置，其特征在于，包括：进气系统、热蒸发炉、等离子体发生装置、硒化炉和出气系统；所述热蒸发炉的腔体安装有第一石英管，所述等离子体发生装置的腔体安装有第二石英管，所述硒化炉的腔体安装有第三石英管，所述进气系统、所述第一石英管、所述第二石英管、所述第三石英管和所述出气系统顺次连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：任宇航，
申请(专利权)人：尚越光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：