一种搅拌球磨处理CuInGa粉体的方法技术

本发明专利技术提出了一种搅拌球磨处理CuInGa粉体的方法，将毫米级别的CuInGa金属粉末和研磨助剂混合成粉剂装入玛瑙罐，加入直径为2-5mm的玻璃珠若干，用挡板封住玛瑙罐的罐口，用带电机的搅拌头伸入玛瑙罐以1000rpm至1500rpm的转速搅拌研磨5至10小时，研磨获得微米级别的CuInGa粉体。本发明专利技术可有效解决Cu、In、Ga为主体的合金粉末和磨球的浸润性问题，研磨效率更高，可有效减少Fe、Cr等杂质元素污染CuInGa粉体。

【技术实现步骤摘要】
一种搅拌球磨处理CuInGa粉体的方法
本专利技术涉及金属合金领域，尤其是指一种搅拌球磨处理CuInGa粉体的方法。
技术介绍
铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳电池因其吸收率高、带隙可调、成本低廉、转换率高、弱光性好、性能稳定以及抗辐射能力强等优点，而成为当前产业界和研究机构争相开发的重点。近年来在其优良性能和巨大需求背景之下，包括美国可再生能源实验室NREL、SolarFrontier、Miasole、Globalsolar、WurthSolar等全球近众多公司机构投入巨额财力和人力进行研发与生产,2011年产能达到GW水平，显示出良好的发展势头。目前，为了进一步降低铜铟镓硒电池生产成本，采用喷涂、刮涂等低成本的非真空技术正成为当前研究的重点。铜铟镓硒薄膜太阳电池非真空技术一般是通过各种物理或化学方法合成出纳米粉体前躯体粉末，然后配置成墨水，通过喷涂或刮涂等工艺制备成前躯体薄膜，然后在经过硒化成铜铟镓硒薄膜，其所涉及到粉体的处理工艺显得尤为重要。在实际生产中，往往需要批处理大批量的粉体，进行初级的粉碎，即由商业原料提供商提供的毫米级别的粉体研磨至微米级别粉体，然后再进行后续研磨工序处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种搅拌球磨处理CuInGa粉体的方法，其特征在于：包括如下步骤：将毫米级别的CuInGa金属粉末和研磨助剂混合成粉剂装入玛瑙罐，加入直径为2?5mm的玻璃珠若干，用挡板封住玛瑙罐的罐口，用带电机的搅拌头伸入玛瑙罐以1000rpm至1500rpm的转速搅拌研磨5至10小时，研磨获得微米级别的CuInGa粉体。

【技术特征摘要】
1.一种搅拌球磨处理CuInGa粉体的方法，其特征在于：包括如下步骤：将毫米级别的CuInGa金属粉末和研磨助剂混合成粉剂装入玛瑙罐，加入直径为2-5mm的玻璃珠若干，用挡板封住玛瑙罐的罐口，用带电机的搅拌头伸入玛瑙罐以1000rpm至1500rpm的转速搅拌研磨5至10小时，研磨获得微米级别的CuInGa粉体。2.根据权利要求1所述的一种搅拌球磨处理CuInGa粉体的方法，其特征在于：所述的研磨助剂为去离子水。3.根据权利要求1所述的一种搅拌球磨处理CuInGa粉体的方法，其特征在于：所述带电机的搅拌头为带电机的不锈钢叶轮。4.根据权利要求1或3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：任宇航，来冠华，罗派峰，盛伟明，
申请(专利权)人：尚越光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：