半导体器件铜线焊接铜球保护装置制造方法及图纸

一种半导体器件铜线焊接铜球保护装置，该保护装置包括氢氮混合配气装置，所述氢氮混合配气装置的混合气输出端经连接气管与设置在焊线机打火装置旁侧的毛细管相连接，所述毛细管经固定座与焊线机打火装置固连。该保护装置不仅克服了半导体器件采用铜线会被氧化的技术难题，使半导体器件采用铜线焊接成为一种可能，而且结构简单，有利于铜线更好的焊接，使用效果好。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件铜线焊接铜球保护装置。
技术介绍
半导体器件的芯片和管脚的连接，以往基本采用金线方式，但随国际金价飙升，金线所占半导体器件的成本比重也随之增加很多，导致器件制造成本居高不下，影响企业竞争力。摆在企业面前的问题是怎样用其它廉价线材生产出性能更好，成本更低的半导体器件就变的非常重要，铜线因其导电性能好，和铝可形成共键焊接，成为ー种很好的替代金线选择，但铜线在高压打火成型过程中会氧化，随之硬度变高，球形不良，会对芯片焊垫结构造成损伤。怎么使球不氧化，球形良好成为ー个很重要的必需克服问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体器件铜线焊接铜球保护装置，该保护装置不仅克服了半导体器件采用铜线会被氧化的技术难题，使半导体器件采用铜线焊接成为ー种可能，而且结构简单，有利于铜线更好的焊接，使用效果好。本专利技术的技术方案在于一种半导体器件铜线焊接铜球保护装置，其特征在于该保护装置包括氢氮混合配气装置，所述氢氮混合配气装置的混合气输出端经连接气管与设置在焊线机打火装置旁侧的毛细管相连接，所述毛细管经固定座与焊线机打火装置固连。上述连接气管上还设置有流量计。上述氢氮混合气各组分的体积比为N2 :H2=9(T95 :5 10。作为ー种优选方案，所述氢氮混合气各组分的体积比为=N2 H2=95 :5。另外，本技术还公开了一种半导体器件铜线焊接铜球保护方法，其特征在于在焊线机打火装置旁侧安装毛细管，并使毛细管对准打火烧球位置，当高压对铜线放电，铜线尖端因高压融化成球，同时毛细管吹出氢氮混合气，以使铜球与空气隔开，避免被氧化。上述氢氮混合气各组分的体积比为N2 :H2=9(T95 :5 10。作为ー种优选方案，所述氢氮混合气各组分的体积比为=N2 H2=95 :5。本专利技术的优点在干该保护装置解决了半导体器件仅采用金线焊接的技术瓶颈，克服了半导体器件采用铜线会被氧化的技术难题，使半导体器件采用铜线焊接成为ー种可能，降低了半导体器件的制造成本，提高企业的经济效益，具有极高的市场价值；该保护装置结构简单，有利于铜线更好的焊接，使用效果好。附图说明图I是本专利技术实施例I的结构示意图。图中1氢氮混合配气装置2连接气管3焊线机打火装置4毛细管5固定座6流量计。具体实施方式为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下。參看附图1，本专利技术的半导体器件铜线焊接铜球保护装置，该保护装置包括氢氮混合配气装置1，所述氢氮混合配气装置I的混合气输出端经连接气管2与设置在焊线机打火装置3旁侧的毛细管4相连接，所述毛细管4经固定座5与焊线机打火装置3固连。这里所述的固定座5为固定安装架。上述连接气管2上还设置有流量计6。上述氢氮混合气各组分的体积比为N2 :H2=9(T95 :5 10。作为ー种优选方案，所述氢氮混合气各组分的体积比为=N2 H2=95 :5。本专利技术的半导体器件铜线焊接铜球保护方法，在焊线机打火装置旁侧安装毛细管，并使毛细管对准打火烧球位置，当高压对铜线放电，铜线尖端因高压融化成球，同时毛细管吹出氢氮混合气，以使铜球与空气隔开，避免被氧化。上述氢氮混合气各组分的体积比为N2 :H2=9(T95 :5 10。作为ー种优选方案，所述氢氮混合气各组分的体积比为=N2 H2=95 :5。本专利技术不局限上述最佳实施方式，凡依本专利技术申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本专利技术的涵盖范围。权利要求1.一种半导体器件铜线焊接铜球保护装置，其特征在于该保护装置包括氢氮混合配气装置，所述氢氮混合配气装置的混合气输出端经连接气管与设置在焊线机打火装置旁侧的毛细管相连接，所述毛细管经固定座与焊线机打火装置固连。2.根据权利要求3所述的半导体器件铜线焊接铜球保护装置，其特征在于所述连接气管上还设置有流量计。专利摘要一种半导体器件铜线焊接铜球保护装置，该保护装置包括氢氮混合配气装置，所述氢氮混合配气装置的混合气输出端经连接气管与设置在焊线机打火装置旁侧的毛细管相连接，所述毛细管经固定座与焊线机打火装置固连。该保护装置不仅克服了半导体器件采用铜线会被氧化的技术难题，使半导体器件采用铜线焊接成为一种可能，而且结构简单，有利于铜线更好的焊接，使用效果好。文档编号H01L21/60GK202498315SQ20122002288公开日2012年10月24日 申请日期2012年1月18日 优先权日2012年1月18日专利技术者刘友志 申请人:福建福顺半导体制造有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件铜线焊接铜球保护装置，其特征在于：该保护装置包括氢氮混合配气装置，所述氢氮混合配气装置的混合气输出端经连接气管与设置在焊线机打火装置旁侧的毛细管相连接，所述毛细管经固定座与焊线机打火装置固连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘友志，
申请(专利权)人：福建福顺半导体制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：