薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置，属于液晶显示领域。其中，该薄膜晶体管阵列基板包括：由第一金属氧化物层形成的有源层；由第二金属氧化物层形成的过渡层，过渡层的导电率比有源层的导电率大，过渡层包括源电极过渡层和漏电极过渡层；由源漏金属层形成的源电极、漏电极；其中，源电极过渡层位于所述有源层和所述源电极之间，所述漏电极过渡层位于所述有源层和所述漏电极之间。本发明专利技术的技术方案能够简化金属氧化物TFT阵列基板的制造工艺，降低产品的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，特别是指一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。近年来TFT-IXD获得了飞速的发展，其尺寸和分辨率不断地提高，大尺寸、高分辨率的液晶电视成为TFT-LCD发展的一个主流。随着TFT-LCD尺寸的不断增大、分辨率的不断提高，为了提高显示质量，需要采用更高频率的驱动电路，现有的非晶硅薄膜晶体管的迁移率很难满足液晶显示器的需要。非晶硅薄晶体管的迁移率一般在0. 5cm2/V. S左右，但是在液晶显示器尺寸超过80英寸，驱动频率为120Hz时需要lcm2/V. S以上的迁移率，现在非晶硅硅薄膜晶体管的迁移率显然很难满足。金属氧化物TFT (非晶IGZ0)迁移率高，均一性好，透明且制作工艺简单，可以更好地满足大尺寸液晶显示器和有源有机电致发光的需求，备受人们的关注。但是现有技术在制作金属氧化物TFT时，一般在金属氧化物上面加一层保护层，以避免在形成源漏金属电极时对金属氧化物层的破坏，这样就增加了构图工艺的次数，影响了生产效率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置，能够简化金属氧化物TFT阵列基板的制造工艺，降低产品的生产成本。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下—方面，提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括依次沉积第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和源漏金属层，所述第一金属氧化物层的导电率小于所述第二金属氧化物层的导电率；在所述源漏金属层上涂布光刻胶；利用灰色调或半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影，形成完全去除区、对应源电极、漏电极的完全保留区和对应沟道区域的部分保留区，之后刻蚀掉完全去除区的源漏金属层、第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，形成有源层，进行光刻胶灰化工艺去除掉所述部分保留区的光刻胶，之后先刻蚀掉部分保留区的源漏金属层，再刻蚀掉部分保留区的第二金属氧化物层，形成薄膜晶体管的沟道区域，去除所述完全保留区的光刻胶，形成包括源电极过渡层和漏电极过渡层的过渡层，以及分别位于所述源电极过渡层和漏电极过渡层上的由所述源漏金属层形成的源电极和漏电极。进一步地，所述形成源电极、漏电极之后还包括、对所述沟道区域的有源层的表面进行修复。进一步地,所述制造方法具体包括在基板上形成栅电极和栅极扫描线的图形；在形成有所述栅电极和栅极扫描线的图形的基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上进行所述依次沉积第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和源漏金属层，所述第一金属氧化物层的导电率小于所述第二金属氧化物层的导电率；在所述源漏金属层上涂布光刻胶；利用灰色调或半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影，形成完全去除区、对应源电极、漏电极和数据线的完全保留区和对应沟道区域的部分保留区，之后刻蚀掉完全 去除区的源漏金属层、第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，形成有源层，进行光刻胶灰化工艺去除掉所述部分保留区的光刻胶，之后先刻蚀掉部分保留区的源漏金属层，再刻蚀掉部分保留区的第二金属氧化物层，形成薄膜晶体管的沟道区域，去除所述完全保留区的光刻胶，形成包括源电极过渡层和漏电极过渡层的过渡层，以及分别位于所述源电极过渡层和漏电极过渡层上的由所述源漏金属层形成的源电极、漏电极和数据线；在形成有所述源电极、漏电极和数据线的图形的基板上形成包括有接触过孔的钝化层的图形；在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述接触过孔与所述漏电极相连接。本专利技术实施例还提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括由第一金属氧化物层形成的有源层；由第二金属氧化物层形成的过渡层，过渡层的导电率比有源层的导电率大，过渡层包括源电极过渡层和漏电极过渡层；由源漏金属层形成的源电极、漏电极；其中，源电极过渡层位于所述有源层和所述源电极之间，所述漏电极过渡层位于所述有源层和所述漏电极之间。进一步地，所述过渡层包括有至少两个金属氧化物层，从靠近所述有源层到远离所述有源层的方向上，金属氧化物层的导电率依次增大。进一步地，所述薄膜晶体管阵列基板具体包括基板；位于所述基板上由栅金属层形成的栅电极和栅极扫描线；位于形成有所述栅电极和栅极扫描线的基板上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的所述由第一金属氧化物层形成的有源层；位于所述有源层上的所述由第二金属氧化物层形成的源电极过渡层和漏电极过渡层；分别位于所述源电极过渡层和漏电极过渡层上的所述由所述源漏金属层形成的所述源电极、所述漏电极和数据线；位于形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上的包括有接触过孔的钝化层；位于所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述接触过孔与所述漏电极相连接。进一步地，所述过渡层的材料为非晶IGZ0。进一步地，所述有源层的材料为非晶IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、ZnO:F、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4, ZnO:Al、TiO2:Nb 或 Cd-Sn-0。本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括如上所述的薄膜晶体管阵列基板。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的薄膜晶体管阵列基板。本专利技术的实施例具有以下有益效果上述方案中，通过导电率高的第二金属氧化物层既可在刻蚀源漏金属层时保护有源层，而且第二金属氧化物层还可以最后形成减少源电极和漏电极与有源层的接触电阻的过渡层，从而有源层和由源漏金属层形成的源电极、漏电极通过一次构图工艺形成，能够节省构图工艺，提升生产效率，降低产品的生产成本。附图说明 图I为本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列基板的平面示意图；图2为本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法第一次构图工艺后对应于图I中A—B位置处的截面不意图；图3为本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法第二次构图工艺中曝光显影后对应于图I中A —B位置处的截面不意图；图4为本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法第二次构图工艺中第一次刻蚀后对应于图I中A—B位置处的截面示意图；图5为本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法第二次构图工艺中灰化后对应于图I中A— B位置处的截面示意图；图6为本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法第二次构图工艺后对应于图I中A—B位置处的截面不意图；图7为本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法第三次构图工艺中第一次刻蚀后对应于图I中A—B位置处的截面示意图；图8为本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列基板的对应于图I中A— B位置处的截面示意图。附图标记I 基板2栅电极3栅绝缘层4-1有源层4-2过渡层5源电极6漏电极7钝化层8像素电极10光刻胶12栅极扫描线13数据线具体实施例方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例针对现有技术中在制作金属氧化物TFT时，一般在金属氧化物上面加一层保护层，以避免在形成源漏金属电极时对金属氧化物层的破坏，这样就增加了构图工艺的次数，影响了生产效率的问题，提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置，能够简化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：依次沉积第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和源漏金属层，所述第一金属氧化物层的导电率小于所述第二金属氧化物层的导电率；在所述源漏金属层上涂布光刻胶；利用灰色调或半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影，形成完全去除区、对应源电极、漏电极的完全保留区和对应沟道区域的部分保留区和完全去除区，之后刻蚀掉完全去除区的源漏金属层、第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，形成有源层，进行光刻胶灰化工艺去除掉所述部分保留区的光刻胶，之后先刻蚀掉部分保留区的源漏金属层，再刻蚀掉部分保留区的第二金属氧化物层，形成薄膜晶体管的沟道区域，去除所述完全保留区的光刻胶，形成包括源电极过渡层和漏电极过渡层的过渡层，以及分别位于所述源电极过渡层和漏电极过渡层上的由所述源漏金属层形成的源电极和漏电极。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，李禹奉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：