一种阵列基板过孔的制作方法及阵列基板制作工艺技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板过孔的制作方法，包括步骤预刻蚀，分别对多个需要生成过孔的区域中的至少一个区域所对的金属层上方的层级结构进行部分刻蚀，使得需要生成过孔的多个区域中与其相应金属层之间的刻蚀深度余量相同；刻蚀，对所述多个需要生成过孔的区域进行同步刻蚀，直至各个过孔连接到其金属层。本发明专利技术提供的阵列基板过孔的制作方法中各个刻蚀深度不同的区域进行分步刻蚀，步骤预刻蚀之后，各个过孔的刻蚀深度余量相同，然后经过步骤刻蚀对所有过孔进行同步刻蚀，使各个过孔同时连接到其金属层，降低刻蚀深度较浅的过孔处产生的过刻不良现象，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及阵列基板加工
，特别涉及一种阵列基板过孔的制作方法及阵列基板制作工艺。
技术介绍
在液晶显示面板的阵列基板制备工艺中，过孔工艺是一项很重要的工艺，阵列基板中通常通过过孔工艺将位于不同层级的金属裸露，然后通过后续工艺将位于不同层级的金属的裸露部分连接，或将同位于同一层级的金属连接，例如阵列基板的栅极线与数据线之间的连接、数据线与像素电极之间的连接以及公共电极线的矩阵结构的形成等。过孔工艺的优劣直接影响到产品的良率以及最终面板的相关性能。 由于阵列基板中，位于不同层级的金属与待刻蚀的产品的上表面之间的深度不同，即刻蚀深度不同，甚至，同一层的金属与待刻蚀的产品的上表面之间的深度也不同，即刻蚀深度不同。为便于描述，本文中，待过孔阵列基板中，刻蚀深度为两种，且距离待过孔阵列基板的刻蚀表面距离较远的金属层称为深区金属层，深区金属层对应的过孔称为深孔，开设深孔的区域称为深孔区域；而距离待过孔阵列基板的刻蚀表面距离较近的金属层称为浅区金属层，浅区金属层对应的过孔称为浅孔，开设浅孔的区域称为浅孔区域。目前阵列基板制备工艺的过孔工艺中，无论是深孔区域的深孔或浅孔区域的浅孔，都统一使用一掩膜板一次曝光刻蚀完成，极易导致浅区金属层产生刻蚀过度的现象。以栅极线和数据线之间的过孔工艺为例，如图I和图2所示，图I为现有技术中的过孔工艺中数据线金属层所处浅孔区域的浅孔已刻蚀至数据线金属层的结构示意图；图2为现有技术中的过孔工艺中栅极线金属层所述深孔区域的深孔刻蚀至栅极线金属层的结构示意图。如图I所示，图I所示的待过孔阵列基板包括基板01，沉积于基板01之上并刻蚀之后的栅极线金属层06，沉积于上述栅极线金属层06及基板01上的栅极绝缘层02，依次沉积于栅极绝缘层02且刻蚀的有源层03以及数据线金属层04，以及，覆盖于上述各层之上的绝缘层05。根据图I所示结构，栅极线金属层06与待过孔阵列基板的上表面之间具有栅极绝缘层02、和绝缘层05，过孔时的刻蚀深度较深，属于深孔区域；而数据线金属层04与待过孔阵列基板的上表面之间只具有绝缘层05，过孔时的刻蚀深度较浅，属于浅孔区域；连接到栅极线金属层06的深孔061需要刻蚀栅极绝缘层02和数据绝缘层05，而连接到数据线金属层04的浅孔041只需要刻蚀绝缘层05，因此当浅孔041刻蚀完成后，数据线金属层04的表层金属已暴露，而深孔061只刻蚀到栅极绝缘层02，还需要对刻蚀深度dl的栅极绝缘层02进行刻蚀.如图2所示结构，当深孔061继续刻蚀时，数据线金属层04通过浅孔041已经裸露的金属会继续刻蚀，当深孔061刻蚀至栅极线金属层06时，刻蚀液会通过浅孔041对数据线金属层04中已经裸露的金属产生深度为d2的过度刻蚀，进而对数据线金属层04造成过刻不良。过刻不良会导致金属表面氧化，进而引起电阻过大或断路等不良的出现，直接影响产品的良率。
技术实现思路
本专利技术提供了一种阵列基板过孔的制作方法及阵列基板制作工艺，以改善现有技术中的过孔工艺中过孔深度较浅的过孔处产生的过刻不良，提高产品良率。 为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案一种阵列基板过孔的制作方法，包括步骤预刻蚀，分别对多个需要生成过孔的区域中的至少一个区域所对的金属层上方的层级结构进行部分刻蚀，使得需要生成过孔的多个区域中与其相应金属层之间的刻蚀深度余量相同；刻蚀，对所述多个需要生成过孔的区域进行同步刻蚀，直至各个过孔连接到其金属层。优选地，所述多个需要生成过孔的区域中生成过孔需刻蚀的刻蚀深度为两种，其中，刻蚀深度较深的称为深孔，刻蚀深度较浅的称为浅孔；步骤预刻蚀中，对深孔所对的深孔区域进行部分刻蚀，使得深孔区域的刻蚀深度余量与所述浅孔所对的浅孔区域的刻蚀深度相同。优选地，所述步骤预刻蚀之前还包括步骤涂覆光刻胶；曝光，对深孔区域的光刻胶进行完全曝光，对浅孔区域的光刻胶进行半曝光，浅孔区域的光刻胶留有预定的曝光余量；所述步骤刻蚀与所述步骤预刻蚀之间还包括步骤灰化，灰化去除浅孔区域内光刻胶的曝光余量； 所述步骤刻蚀之后还包括步骤剥离，将多余光刻胶剥离去除。优选地，所述步骤曝光中，使用具有全透光区和半透光区的掩膜板进行曝光，其中，所述半透掩膜板的全透光区与深孔区域对应，半透光区与浅孔区域对应。本专利技术还提供了一种阵列基板制作工艺，包括步骤在基板上形成栅极线金属层；在栅极线金属层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上依次形成有源层和数据线金属层；在数据线金属层以及栅极绝缘层之上形成绝缘层；预刻蚀，分别对多个需要生成过孔的区域中的至少一个区域所对的金属层上方的层级结构进行部分刻蚀，使得需要生成过孔的多个区域中与其相应金属层之间的刻蚀深度余量相同；刻蚀，对所述多个需要生成过孔的区域进行同步刻蚀，直至各个过孔连接到其金属层；沉积刻蚀电极层，实现相应金属层之间的连接。优选地，所述多个需要生成过孔的区域中生成过孔需刻蚀的刻蚀深度为两种，其中，刻蚀深度较深的称为深孔，刻蚀深度较浅的称为浅孔；步骤预刻蚀中，对深孔所对的深孔区域进行部分刻蚀，使得深孔区域的刻蚀深度余量与所述浅孔所对的浅孔区域的刻蚀深度相同。优选地，所述步骤预刻蚀之前还包括步骤涂覆光刻胶； 曝光，对深孔区域的光刻胶进行完全曝光，对浅孔区域的光刻胶进行半曝光，浅孔区域的光刻胶留有预定的曝光余量；所述步骤刻蚀与所述步骤预刻蚀之间还包括步骤灰化，灰化去除浅孔区域内光刻胶的曝光余量；所述步骤刻蚀之后还包括步骤剥离，将多余光刻胶剥离去除。优选地，所述深区金属层为栅极线金属层，所述浅区金属层为数据线金属层，所述电极层实现栅极线金属层与所述数据线金属层之间的连接。优选地，所述步骤涂覆光刻胶中，在所述绝缘层上涂覆光刻胶；所述步骤曝光中，对栅极线金属层所对深孔区域的光刻胶进行完全曝光，对数据线金属层所对浅孔区域的光刻胶进行半曝光，浅孔区域的光刻胶留有预定的曝光余量；所述步骤预刻蚀中，对完全曝光的深孔区域进行部分刻蚀，并在栅极线金属层上方留有预定的刻蚀深度余量，所述预定的刻蚀深度余量与浅孔区域的刻蚀深度相同；所述步骤灰化中，灰化去除浅孔区域内光刻胶的曝光余量；所述步骤刻蚀中，对浅孔区域以及深孔区域进行刻蚀，直至深孔区域的深孔连接到栅极线金属层，同时，浅孔区域的浅孔连接到数据线金属层；所述步骤剥离中，将多余光刻胶剥离去除。优选地，所述绝缘层的刻蚀深度与所述栅极绝缘层的刻蚀深度相同，所述步骤预刻蚀中，所述深孔预刻蚀至栅极绝缘层。本专利技术提供的阵列基板过孔的制作方法，包括步骤预刻蚀，分别对多个需要生成过孔的区域中的至少一个区域所对的金属层上方的层级结构进行部分刻蚀，使得需要生成过孔的多个区域中与其相应金属层之间的刻蚀深度余量相同；刻蚀，对所述多个需要生成过孔的区域进行同步刻蚀，直至各个过孔连接到其金属层。本专利技术提供的阵列基板过孔的制作方法中，通过步骤预刻蚀对需要生成过孔的区域中与其所对的金属层之间刻蚀深度较深的区域进行部分刻蚀，使得需要生成过孔的多个区域中与其相应金属层之间的刻蚀深度余量相同，当然，这里所说的相同只是理论上相同的意思，实际操作过程中，由于人为因素，刻蚀液等因素以及操作误差等各种不确定因素的存在，只要预定的刻蚀深度余量浅孔区域的刻蚀深度之间不存在较大误差，能够减小步骤刻蚀中对多个需要生成过孔的区域进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板过孔的制作方法，其特征在于，包括步骤：预刻蚀，分别对多个需要生成过孔的区域中的至少一个区域所对的金属层上方的层级结构进行部分刻蚀，使得需要生成过孔的多个区域中与其相应金属层之间的刻蚀深度余量相同；刻蚀，对所述多个需要生成过孔的区域进行同步刻蚀，直至各个过孔连接到其金属层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：封宾，白金超，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：