一种超声波清洗单晶硅片装置，清洗槽的槽壁上设有进水口和出水口，槽底部下方设有超声波振子，清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片的框架，框架底壁为栅栏状的石英棒，石英棒形成的平面低于去离子水水平面，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。具体实施时，石英棒距离清洗槽的底壁为１５厘米。清洗时，单晶硅片可以平置在石英棒上，将现有的竖超洗改成平超洗，消除了单晶硅片在竖超洗状态下，污染物会残留堆积在硅片表面，形成局部区域清洗不干净，以及承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡掉超声波源的传递，从而造成硅片表面局部区域清洗不干净的现象，具有结构更为简单、用水量大大减少的优点。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
超声波清洗单晶硅片装置
本技术涉及一种清洗装置，尤其是属于一种超声波清洗单晶硅片 装置。
技术介绍
在半导体硅片加工过程中，每一道工序都涉及到清洗，由于很多半导 体分立器件是在硅研磨片表面直接制造或衬底扩散而成，因此，硅研萨片清洗质量的好坏将直接影响下一道工序，甚至影响器件的成品率和可靠性。 目前，常规的半导体硅研磨片的清洗方法有两种手洗和超声波清洗。手 洗效果差，清洗后的研磨硅片上仍然会有许多研磨金刚砂、硅粉末残留。 超声波清洗装置的结构包括一清洗槽，槽壁上设有去离子水进出口，使去 离子水在保持一定高度的情况下始终处于流动状态，清洗槽的槽底下方设 有超声波振子。清洗时，将硅片依次竖插在承载花篮内， 一起浸入清洗槽内的去离子水中，经过6 8道工位超声，每道超洗10 15分钟，然后，经去离子纯水冲洗、漂洗、甩干而完成超洗。但是，上述超声波清洗装置存在如下缺陷 一方面，硅片竖插在承载 花篮内，超声波源从底部发生往上发射与硅片表面侧面接触，超洗后硅片表面的污染物会残留堆积在硅片表面，形成局部区域清洗不千净；另一方面，用聚四氟材料制成的承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡掉超声波源的 传递，从而也会造成硅片表面局部区域清洗不干净现象。
技术实现思路
为克服现有技术存在的上述技术问题，本技术旨在提供一种结构 新颖的超声波清洗单晶硅片装置，该装置结构简单，用其清洗单晶硅片不 会出现局部区域清洗不干净的现象。为达到上述目的，本技术采用了如下的技术方案这种超声波清 洗单晶硅片装置的结构包括清洗槽，清洗槽.的槽壁上设有进水口和出水口， 槽底部下方设有超声波振子，其要点是清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片 的框架，框架底壁为栅栏状的石英棒，石英棒形成的平面低于去离子水水平面，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。如上所述的超声波清洗单晶硅片装置，其特征是石英棒距离清洗槽 底壁为15厘米。有益效果本技术用底壁为栅栏状石英棒的框架替代用聚四氟材 料制成的承载硅片的软休花篮后，清洗时，单晶硅片可以平置在石英棒上， 将现有的竖超洗改成平超洗，不但消除了单晶硅片在竖超洗状态下，超声 波源从底部发生往上发射与硅片表面侧面接触，超洗后硅片表面的污染物 会残留堆积在硅片表面，形成局部区域清洗不干净，以及用聚四氟材料制 成的承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡掉超声波源的传递，从而也会造成 硅片表面局部区域清洗不干净的现象，而且结构更为简单、用水量也可以 大大减少。为加深理解，下面通过实施例并结合附屈对本技术作进一歩说明。附图说明图1为本技术一个实施例的立体结构示意图。图中序号分别表示框架侧壁i,清洗槽侧壁2，进水口3，超声波振 子安装框4，石英棒5，单晶硅片6。具体实施方式参见图1。清洗槽侧壁2用UPVC板制成，它是一个矩形无顶的箱体， 进水口 3和出水口既口丄以确保清洗槽内具有一定的去离子水高度，又能使 去离子水处于流动状态。槽底部下方设有超声波振子安装框4。搁置虽.晶 硅片6的框架，底壁为栅栏状的石英棒5，多根石英棒5形成一个平面， 该平面低于去离子水水平面，并确保放置单晶硅片后也浸没在水中，整个 框架由支撑脚支撑在清洗槽内。为达到最好的清洗效果，申请人作了反复试验，石英棒所在的平面距 离清洗槽底壁最好为15厘米。权利要求1、一种超声波清洗单晶硅片装置，包括清洗槽，清洗槽的槽壁上设有进水口(3)和出水口，槽底部下方设有超声波振子，其特征是清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片(6)的框架，框架底壁为栅栏状的石英棒(5)，石英棒(5)形成的平面低于去离子水水平面，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。2、 如权利要求1所述的一种超声波清洗单晶硅片装置，其特征是石英棒(5)距离清洗槽底壁为15厘米。专利摘要一种超声波清洗单晶硅片装置，清洗槽的槽壁上设有进水口和出水口，槽底部下方设有超声波振子，清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片的框架，框架底壁为栅栏状的石英棒，石英棒形成的平面低于去离子水水平面，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。具体实施时，石英棒距离清洗槽的底壁为15厘米。清洗时，单晶硅片可以平置在石英棒上，将现有的竖超洗改成平超洗，消除了单晶硅片在竖超洗状态下，污染物会残留堆积在硅片表面，形成局部区域清洗不干净，以及承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡掉超声波源的传递，从而造成硅片表面局部区域清洗不干净的现象，具有结构更为简单、用水量大大减少的优点。文档编号B08B3/12GK201098688SQ20072019257公开日2008年8月13日 申请日期2007年11月27日 优先权日2007年11月27日专利技术者楼春兰, 汪贵发, 辉 郑 申请人:万向硅峰电子股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种超声波清洗单晶硅片装置，包括清洗槽，清洗槽的槽壁上设有进水口（３）和出水口，槽底部下方设有超声波振子，其特征是：清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片（６）的框架，框架底壁为栅栏状的石英棒（５），石英棒（５）形成的平面低于去离子水水平面，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪贵发，楼春兰，郑辉，
申请(专利权)人：万向硅峰电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]
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