一种缺陷检测方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种缺陷检测方法。本发明专利技术提出一种缺陷检测方法，通过对检测晶圆设置多个检测区域，再根据工艺需求设置每个检测区域的缺陷阀值，最后根据设定的检测区域及对应的缺陷阀值对晶圆进行缺陷检测，从而有效避免晶圆上线路尺寸或薄膜厚度均匀性差的区域的背景信号干扰其他好的检测区域，进而实现高精度和灵活的缺陷检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及ー种缺陷检测方法。
技术介绍
由于集成电路制造エ艺的复杂度在不断的提高，为了能够在生产过程中及时的发现问题并采取相应的措施，一般都会在制造过程配置一定数量的光学和电子的缺陷检测设备。图I是本专利技术
技术介绍
中传统缺陷检测方法里将电路光学图像转换为数据灰阶图像的示意图；图2是本专利技术
技术介绍
中传统缺陷检测方法里在水平方向的相邻芯片的比较的示意图；图3是本专利技术
技术介绍
中传统缺陷检测方法里在垂直方向的相邻芯片的比较 的示意图。如图I所示，传统缺陷检测方法的工作原理是将芯片上的光学图像转换成为可由不同亮暗灰阶表示的数据图像，即将ー个光学显微镜下的图像11转换成为数据图像12特征，再通过相邻芯片上的数据比较来检测缺陷的位置，采用如图2所示的在水平方向上于晶圆I上相邻芯片的比较或如图3所示的在垂直方向的相邻芯片的比较エ艺。但是随着晶圆尺寸的増大，在晶圆上线路尺寸或薄膜厚度不能做到完全的一致性，这就会给缺陷的检测带来很大的难度。例如，需要检测ー个信号较弱的缺陷时，就必须要设定ー个很小的缺陷阈值，这样就会把本来不需要的很多背景的差异都作为缺陷输出，从而为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一待检测晶圆上根据工艺需求设置多个缺陷检测区域；步骤S2：根据不同的缺陷检测区域的工艺需求设置每个缺陷检测区域相应的缺陷阀值；步骤S3：根据设定的缺陷阀值对相应的检测区域进行检测。

【技术特征摘要】
1.一种缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤SI :在一待检测晶圆上根据工艺需求设置多个缺陷检测区域； 步骤S2 :根据不同的缺陷检测区域的工艺需求设置每个缺陷检测区域相应的缺陷阀值； 步骤S3 :根据设定的缺陷阀值对相应的检测区域进行检测。2.根据权利要求I所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪棋梁，龙吟，陈宏璘，郭明升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：