1810纳米带通红外滤光片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种1810纳米带通红外滤光片，包括以Bk7玻璃为原材料的基板、以Si和SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以SiO和Si为镀膜材料的第二镀膜层，所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是其特征是所述第一镀膜层包括从内向外依次排列的厚度不同的Si层和SiO层，所述Si层和SiO层交互排列；所述第二镀膜层包括从内向外依次排列的厚度不同的SiO层和Si层，所述SiO层和Si层交互排列。本实用新型专利技术公开了一种1810纳米带通红外滤光片，能实现中心波长定位在1810±1％纳米，峰值透过率达90％以上，截止区透过率小于0.1％，极大地提高了信噪比，提高应用领域产品的探测精度和效能。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种滤光片，特别是1810纳米带通红外滤光片。
技术介绍
在许多工业生产领域，需要对物料(如冶金钢铁行业的烧结物料、食品加工行业的粮食物料和烟草行业的烟丝等)的水分进行精确检测，以保证产品的质量，提高生产效率，降低能源消耗。现大多采用红外水分仪来测量各种物料的水分，为了确保检测的精准度,在红外水分仪内设有滤光片。但是，目前用于水分测量的1810纳米带通红外滤光片，其信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种峰值透过率高，能极大的提高信噪比的的1810纳米带通红外滤光片。为了实现上述目的，本技术所设计的1810纳米带通红外滤光片，包括以Bk7玻璃为原材料的基板、以Si和SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以SiO和Si为镀膜材料的第二镀膜层，所述基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间，其特征是第一镀膜层包含从内向外依次排列的厚度为50nm的Si层、厚度为130nm的SiO层、厚度为80nm的Si层、厚度为149nm的SiO层、厚度为71nm的Si层、厚度为131nm的SiO层、厚度为60nm的Si层、厚度为133nm的SiO层、厚度为79nm的Si层、厚度为147nm的SiO层、厚度为64nm的Si层、厚度为147nm的SiO层、厚度为134nm的Si层、厚度为157nm的SiO层、厚度为60nm的Si层、厚度为292nm的SiO层、厚度为54nm的Si层、厚度为16Inm的SiO层、厚度为IOOnm的Si层、厚度为250nm的SiO层、厚度为78nm的Si层、厚度为68nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为217nm的SiO层、厚度为236nm的Si层、厚度为296nm的SiO层、厚度为166nm的Si层、厚度为328nm的SiO层、厚度为179nm的Si层、厚度为322nm的SiO层以及厚度为162nm的Si层；第二镀膜层包含从内向外依次排列的厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为1478nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为1478nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为1478nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为243nm的SiO层、厚度为90nm的Si层以及厚度为190nm的SiO层。上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在IOnm左右。本技术得到的1810纳米带通红外滤光片，能实现中心波长定位在1810±1%纳米，峰值透过率达90%以上，截止区透过率小于O. I %，极大地提高了信噪比，提高应用领域产品的探測精度和效能。附图说明图I是实施例的整体结构示意图；图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。图中基板I、第一镀膜层2、第二镀膜层3。以下结合附图和实施例对本技术进ー步说明。实施例如图I所示，本实施列提供的1810纳米带通红外滤光片，包括以Bk7玻璃为原材料的基板I、以Si和SiO为镀膜材料的第一镀膜层2和以SiO和Si为镀膜材料的第二镀膜层3，所述基板I位于第一镀膜层2和第二镀膜层3之间，如图2所示，第一镀膜层2包含从内向外依次排列的厚度为50nm的Si层、厚度为130nm的SiO层、厚度为80nm的Si层、厚度为149nm的SiO层、厚度为71nm的Si层、厚度为131nm的SiO层、厚度为60nm的Si层、厚度为133nm的SiO层、厚度为79nm的Si层、厚度为147nm的SiO层、厚度为64nm的Si层、厚度为147nm的SiO层、厚度为134nm的Si层、厚度为157nm的SiO层、厚度为60nm的Si层、厚度为292nm的SiO层、厚度为54nm的Si层、厚度为16Inm的SiO层、厚度为IOOnm的Si层、厚度为250nm的SiO层、厚度为78nm的Si层、厚度为68nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为217nm的SiO层、厚度为236nm的Si层、厚度为296nm的SiO层、厚度为166nm的Si层、厚度为328nm的SiO层、厚度为179nm的Si层、厚度为322nm的SiO层以及厚度为162nm的Si层；第二镀膜层3包含从内向外依次排列的厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为1478nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为1478nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为1478nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为243nm的SiO层、厚度为90nm的Si层以及厚度为190nm的SiO层。如图2所示，本实施例得到的1810纳米带通红外滤光片，能实现中心波长定位为1810 土 I %纳米，峰值透过率达90 %以上，截止区透过率小于O. I %。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种1810纳米带通红外滤光片，包括以Bk7玻璃为原材料的基板(1)、以Si和SiO为镀膜材料的第一镀膜层(2)和以SiO和Si为镀膜材料的第二镀膜层(3)，所述基板(1)位于第一镀膜层(2)和第二镀膜层(3)之间，其特征是第一镀膜层(2)包含从内向外依次排列的厚度为50nm的Si层、厚度为130nm的SiO层、厚度为80nm的Si层、厚度为149nm的SiO层、厚度为71nm的Si层、厚度为131nm的SiO层、厚度为60nm的Si层、厚度为133nm的SiO层、厚度为79nm的Si层、厚度为147nm的SiO层、厚度为64nm的Si层、厚度为147nm的SiO层、厚度为134nm的Si层、厚度为157nm的SiO层、厚度为60nm的Si层、厚度为292nm的SiO层、厚度为54nm的Si层、厚度为161nm的SiO层、厚度为100nm的Si层、厚度为250nm的SiO层、厚度为78nm的Si层、厚度为68nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为217nm的SiO层、厚度为236nm的Si层、厚度为296nm的SiO层、厚度为166nm的Si层、厚度为328nm的SiO层、厚度为179nm的Si层、厚度为322nm的SiO层以及厚度为162nm的Si层；第二镀膜层(3)包含从内向外依次排列的厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为1478nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为1478nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为246nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为1478nm的SiO层、厚度为125nm的Si层、厚度为243nm的SiO层、厚度为90nm的Si层以及厚度为190nm的SiO层。...

【技术特征摘要】
1.一种1810纳米带通红外滤光片，包括以Bk7玻璃为原材料的基板(I)、以Si和SiO为镀膜材料的第一镀膜层(2)和以SiO和Si为镀膜材料的第二镀膜层(3)，所述基板(I)位于第一镀膜层(2)和第二镀膜层(3)之间，其特征是第一镀膜层(2)包含从内向外依次排列的厚度为50nm的Si层、厚度为130nm的SiO层、厚度为80nm的Si层、厚度为149nm的SiO层、厚度为71nm的Si层、厚度为131nm的SiO层、厚度为60nm的Si层、厚度为133nm的SiO层、厚度为79nm的Si层、厚度为147nm的SiO层、厚度为64nm的Si层、厚度为147nm的SiO层、厚度为134nm的Si层、厚度为157nm的SiO层、厚度为60nm的Si层、厚度为292nm的SiO层、厚度为54nm的Si层、厚度为161nm的SiO层、厚度为IOOnm的Si层、厚度为.250nm的SiO层、厚度为78nm的Si层、厚度为68nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为217nm的SiO层、厚度为236...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕晶，
申请(专利权)人：杭州麦乐克电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：