【技术实现步骤摘要】
本技术涉及无掩膜曝光装置，特别涉及一种多波长无掩膜曝光装置。
技术介绍
现有的半导体及印制电路板的曝光通常采用的是一种接触式的或者接近式的曝光方法。这两种方法都存在这样或者那样的缺陷，接触或接近成像技术需要照相原版，并且曝光时生产底板与印制板必须接触或接近，在成像过程中，紫外光直接照射生产底版，光线穿过底版透明部分在印制板上由于光化学反应而形成相应图案。同时，传统的曝光设备采用的是单一波长的光源。此种装置只能采用与装置光源敏感的感光基底，使用的感光基底较为单一。为了克服上述传统曝光系统的缺陷，需要设计一种多波长无掩膜的曝光装置。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种可以在同一个装置上采用对不同波长敏感的曝光基底的多波长的无掩膜曝光装置。本技术采用的技术方案是多波长无掩膜曝光装置，包括有光源一、图形发生器，其特征在于还包括有多个不同波长的光源，分别为光源二、三、四，所述光源二、三、四中每个光源对应设有一个分色分光镜，所述分色分光镜依次置于光源一发射的光束到图形发生器之间的光路上，所述分色分光镜与图形发生器之间还设有光束均匀装置；位于图形发生器的下方设有成像镜头，位于成像镜头的下方设有曝光基底，各光源发射的不同波长的光束经光束均匀装置后均匀照射到图形发生器上，图形发生器产生的图案经成像镜头按照一定的倍率处理后成像在曝光基底上。根据权利要求I所述的多波长无掩膜曝光装置，其特征在于所述光源一、二、三、四可以是激光光源、汞灯或LED，波长分布在红外光、绿光、蓝紫光波段，即在1064nm、532nm、405nm、355nm 附近。本技术的优点是本技术使用可任意编...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多波长无掩膜曝光装置，包括有光源一、图形发生器，其特征在于还包括有多个不同波长的光源，分别为光源二、三、四，所述光源二、三、四中每个光源对应设有一个分色分光镜，所述分色分光镜依次置于光源一发射的光束到图形发生器之间的光路上，所述分色分光镜与图形发生器之间还设有光束均匀装置；位于图形发生器的下方设有成像镜头，位于成像镜头的下方设有曝光基...
【专利技术属性】
技术研发人员：张昌清，李文静，何少峰，刘文海，
申请(专利权)人：合肥芯硕半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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