在制备集成电路产品过程中用于干燥构图晶片的组合物和方法技术

以从构图晶片除去水的方式对构图晶片进行干燥，而其构图结构部分没有塌陷或破坏。本发明专利技术的一个方面中用一种组合物进行干燥，该组合物包含超临界流体和至少一种水反应剂，该水反应剂与水化学反应形成比水更溶于超临界流体的反应产物。本发明专利技术描述了多种使用超临界流体干燥构图晶片的方法，这些方法避免了超临界流体例如超临界ＣＯ↓［２］的缺陷（低的水溶性）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种用于干燥构图晶片以从中除去水的组合物，所述组合物包括超临界流体和至少一种水反应剂，该水反应剂与水化学反应形成比水更溶于超临界流体的反应产物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：许从应，迈克尔克赞斯基，托马斯H鲍姆，亚历山大博罗维克，埃利奥多G根丘，
申请(专利权)人：高级技术材料公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]