使用应力记忆技术的半导体器件制造方法技术

本发明专利技术公开了一种使用应力记忆技术的半导体器件制造方法，刻蚀需形成金属硅化物区域上的二次侧墙薄膜层，以在所述需形成金属硅化物区域上的栅极结构侧壁形成二次侧墙，直接利用二次侧墙作为自对准金属硅化物阻挡层，在暴露出的源/漏区和栅极结构上形成金属硅化物层，从而简化了工艺步骤；进一步的，形成金属硅化物层之后去除二次侧墙，采用应力邻近效应技术，使得CESL应力层更加邻近沟道，有利于提到器件的性能；此外，本发明专利技术的一次侧墙和二次侧墙均采用无定形碳，在去除一次侧墙和二次侧墙的时候可以采用灰化工艺，方便去除。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种使用应力记忆技术(SMT)的半导体器件制造方法。
技术介绍
随着CMOS半导体器件工艺的发展以及按比例尺寸缩小，应力工程在半导体工艺和器件性能方面起到越来越大的作用；CM0S器件中引入应力，主要是为了提高器件载流子迁移率，在CMOS器件沟道方向(longitudinal)上张应力对NMOS电子迁移率有益，而压应力对PMOS空穴迁移率有益，在沟道宽度方向(transverse)上的张应力对NMOS和PMOS器 件的载流子迁移率均有益，而在垂直沟道平面方向(out-of-plane)的压应力对NMOS器件电子迁移率有益，张应力则对PMOS器件空穴迁移率有益。应力记忆效应(SMT,Stress memorization technique)是一种 CMOS 工艺中引入应力的方法，其工艺流程为在器件源/漏注入之后，沉积一层氮化硅薄膜保护层(caplayer)，紧接着进行源/漏退火，在源/漏退火过程中，会产生氮化硅薄膜保护层、多晶硅栅以及侧墙之间的热应力和内应力效应，这些应力会被记忆在多晶硅栅之中，在多晶硅中沿垂直沟道平面方向(out-of-pla本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使用应力记忆技术的半导体器件制造方法，包括 在衬底上形成栅极结构并进行轻掺杂漏极注入； 在所述衬底和栅极结构上形成一次侧墙薄膜层； 刻蚀所述一次侧墙薄膜层以在所述栅极结构侧壁形成一次侧墙； 进行源/漏离子注入形成源/漏区； 去除所述一次侧墙； 在所述衬底和栅极结构上形成应力层，并进行退火处理； 去除所述应力层； 在所述衬底和栅极结构上形成二次侧墙薄膜层； 刻蚀需形成金属硅化物区域上的二次侧墙薄膜层，以在所述需形成金属硅化物区域上的栅极结构侧壁形成二次侧墙； 在暴露出的源/漏区和栅极结构上形成金属硅化物层。2.如权利要求I所述的使用应力记忆技术的半导体器件制造方法，其特征在于，在暴露出的源/漏区和栅极结构上形成金属硅化物层之后，还包括 去除所述二次侧墙； 在所述衬底和栅极结构上形成CESL应力层。3.如权利要求2所述的使用应力记忆技术的半导体器件制造方法，其特征在于，所述CESL应力层为应力氮化硅。4.如权利要求I所述的使用应力记忆技术的半导体器件制造方法，其特征在于，进行源/漏离子注入形成源/漏区之前，还包括在所述衬底和一次侧墙上形成一次侧墙保护层。5.如权利要求4所述的使用应力记忆技术的半导体器件制造方法，其特征在于，进行源/漏离子注入形成源/漏区之后，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑春生，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：